GD100PFX170C6SG,IGBT Module,STARPOWER

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1700V 100A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
10 μs kortsluiting
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale aansluittemperatuur 175 ℃
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
met een vermogen van niet meer dan 50 W
Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT-omvormer

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1700	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C	161 100	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	200	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C	592	W

DIODE-omvormer

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1700	V
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	100	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	200	A

Diode-rectifier

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1800	V
I O	Gemiddelde uitvoerstroom 5 0Hz/60Hz, sinusoïde	100	A
I FSM	Surge Vooruitstroom t P =10ms @ T j = 25O C @ T j =150 O C	1600 1400	A
I 2t	I 2t-waarde,t P =10ms @ T j =25 O C @ T j =150 O C	13000 9800	A 2s

Module

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
t jmax	Maximale junctiontemperatuur (inverter) Maximale junctiontemperatuur (rectifier)	175 150	O C
t - Jaap.	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	O C
t STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	O C
V iso	Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT -Inverter Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =100A,V GE =15V, t j =25 O C		1.85	2.20	V
		I C =100A,V GE =15V, t j =125 O C		2.25
		I C =100A,V GE =15V, t j =150 O C		2.35
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =4.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			5.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand			7.5		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		12.0		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		0.29		nF
Q G	Gate-lading	V GE =-15 ...+15V		0.94		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =100A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, L s =46 nH , t j =25 O C		257		n
t r	Opstijgtijd			47		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			377		n
t F	Ouderdom			382		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			24.6		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			16.7		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =100A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, L s =46nH, T j =125 O C		284		n
t r	Opstijgtijd			56		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			444		n
t F	Ouderdom			555		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			34.9		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			23.1		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =100A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, L s =46nH, T j =150 O C		286		n
t r	Opstijgtijd			60		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			465		n
t F	Ouderdom			636		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			38.0		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			26.1		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V		400		A

Diode -Inverter Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =100A,V GE =0V,T j =25 O C		1.80	2.25	V
		I F =100A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.90
		I F =100A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.95
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 900V,I F =100A, -di/dt=1590A/μs,V GE =-15V L s =46 nH , t j =25 O C		13.3		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			107		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			8.79		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 900V,I F =100A, -di/dt=1300A/μs,V GE =-15V L s =46nH, T j =125 O C		25.0		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			111		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			18.6		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 900V,I F =100A, -di/dt=1230A/μs,V GE =-15V L s =46nH, T j =150 O C		28.0		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			112		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			20.4		mJ

Diode -gelijkrichter Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I C =100A, t j =150 O C		0.85		V
I r	Terugstroom	t j =150 O C,V r =1800V			3.0	mA

NTC Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
r 25	Nominale weerstand			5.0		kΩ
∆R/R	Afwijking van r 100	t C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Vermogen dissipatie				20.0	mW
B 25/50	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
r thJC	Junctie -Om -casus (perIGBT -Inverter ) Aansluiting-tot-Geval (per DIODE-inverter ter) Verbinding Junction-naar-Case (per Diode-re ctifier)			0.253 0.424 0.289	K/W
r thCH	casus -Om -Verwarmingssink (perIGBT -Inverter )Case-naar-Koelplaat (per Diode-i nverter) Case-naar-Koelplaat (per Diode-re ctifier) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)		0.105 0.176 0.120 0.009		K/W
m	Montage-koppel Schroef:M5	3.0		6.0	N.m
G	Gewicht van Module		300		G