GD100HHU120C6SD, IGBT-module, STARPOWER

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1200V 100A. Ik ben een

Kenmerken

Typische toepassingen

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C = 75 O C	146 100	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	200	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T Vj =150 O C	771	W

Diode

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1200	V
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	100	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	200	A

Module

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
t vjmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	150	O C
t vjop	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +125	O C
t STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	O C
V iso	Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t= 1 minuut	2500	V

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =100A,V GE =15V, t Vj =25 O C		3.00	3.45	V
V CE (sat)		I C =100A,V GE =15V, t Vj =125 O C		3.80		V
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =4.0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C	4.5	5.5	6.5	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C			5.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand aas			1.0		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		6.50		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		0.42		nF
Q G	Gate-lading	V GE =-15…+15V		1.10		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =100A, r G =9.1Ω,V GE =±15V, LS = 48 nH ,t Vj =25 O C		38		n
t r	Opstijgtijd			50		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			330		n
t F	Ouderdom			27		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			8.92		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			2.06		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =100A, r G =9.1Ω,V GE =±15V, LS = 48 nH ,t Vj =125 O C		37		n
t r	Opstijgtijd			50		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			362		n
t F	Ouderdom			43		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			10.7		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			3.69		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t Vj =125 O C ,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		650		A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =100A,V GE =0V,T Vj = 2 5O C		1.85	2.30	V
V F	Diode naar voren Spanning	I F =100A,V GE =0V,T Vj =125 O C		1.90		V
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =100A, -di/dt=2245A/μs,V GE =-15V LS = 48 nH ,t Vj =25 O C		11.5		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			101		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			4.08		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =100A, -di/dt=2352A/μs,V GE =-15V LS = 48 nH ,t Vj =125 O C		19.0		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			120		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			7.47		mJ

NTC Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
L CE	Inductie van de afwijking		21		nH
r CC+EE	Module Loodweerstand, Terminal naar chip		2.60		mΩ
r thJC	Junctie -Om -casus (perIGBT ) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)			0.162 0.401	K/W
r thCH	casus -Om -Wastafel (perIGBT ) De in punt 3.4.1 bedoelde parameters zijn van toepassing op de volgende modellen: De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)		0.051 0.125 0.009		K/W
m	Montage-koppel Schroef M6	3.0		6.0	N.m
G	Gewicht van Module		300		G