GD100HFX170C1S,IGBT Module,STARPOWER

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1700V 100A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
10 μs kortsluiting
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale aansluittemperatuur 175 ℃
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
met een vermogen van niet meer dan 50 W
Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1700	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C	173 112	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	200	A
P D	Maximum Vermogen dissipatie @ t Vj = 175 O C	666	W

Diode

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1700	V
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	100	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	200	A

Module

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
t vjmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	O C
t vjop	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	O C
t STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	O C
V iso	Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t= 1 minuut	4000	V

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =100A,V GE =15V, t Vj =25 O C		1.85	2.20	V
		I C =100A,V GE =15V, t Vj =125 O C		2.25
		I C =100A,V GE =15V, t Vj =150 O C		2.35
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =4.0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C			5.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand			7.5		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		12.0		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		0.29		nF
Q G	Gate-lading	V GE =-15…+15V		0.94		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =100A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, Ls=60nH, t Vj =25 O C		272		n
t r	Opstijgtijd			55		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			369		n
t F	Ouderdom			389		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			28.2		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			16.4		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =100A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, Ls=60nH, t Vj =125 O C		296		n
t r	Opstijgtijd			66		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			448		n
t F	Ouderdom			576		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			40.1		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			24.1		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =100A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, Ls=60nH, t Vj =150 O C		302		n
t r	Opstijgtijd			69		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			463		n
t F	Ouderdom			607		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			43.9		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			25.7		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t Vj =150 O C ,V CC =1000V V CEM ≤ 1700V		400		A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =100A,V GE =0V,T Vj = 2 5O C		1.80	2.25	V
		I F =100A,V GE =0V,T Vj =125 O C		1.90
		I F =100A,V GE =0V,T Vj =150 O C		1.95
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 900V,I F =100A, -di/dt=1290A/μs,V GE =-15V Ls=60nH, t Vj =25 O C		23.5		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			85		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			11.5		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 900V,I F =100A, -di/dt=1020A/μs,V GE =-15V Ls=60nH, t Vj =125 O C		36.6		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			88		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			18.1		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 900V,I F =100A, -di/dt=960A/μs,V GE =-15V Ls=60nH, t Vj =150 O C		46.2		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			91		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			24.6		mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
L CE	Inductie van de afwijking			30	nH
r CC+EE	Module Loodweerstand, Terminal naar chip		0.65		mΩ
r thJC	Junctie -Om -casus (perIGBT ) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)			0.225 0.391	K/W
r thCH	casus -Om -Verwarmingssink (perIGBT )De verwarming van de lucht is niet noodzakelijk. Diode) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)		0.158 0.274 0.050		K/W
m	het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m
G	Gewicht van Module		150		G