GD100HFQ120C1SD, IGBT-module, STARPOWER

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1200V 100A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
10 μs kortsluiting
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale aansluittemperatuur 175 ℃
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

Schakelmodus voeding
Inductieve verwarming
Elektronische lasser

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C	162 100	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	200	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T Vj = 175 O C	595	W

Diode

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1200	V
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	100	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	200	A

Module

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
t vjmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	O C
t vjop	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	O C
t STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	O C
V iso	Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =100A,V GE =15V, t Vj =25 O C		1.85	2.30	V
		I C =100A,V GE =15V, t Vj =125 O C		2.25
		I C =100A,V GE =15V, t Vj =150 O C		2.35
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =4.0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C			1.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand aas			7.5		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		10.8		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		0.30		nF
Q G	Gate-lading	V GE =-15 ...+15V		0.84		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =100A, r G =5.1Ω, V GE =±15V, L s =45 nH ,t Vj =25 O C		59		n
t r	Opstijgtijd			38		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			209		n
t F	Ouderdom			71		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			11.2		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			3.15		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =100A, r G =5.1Ω, V GE =±15V, L s =45 nH ,t Vj =125 O C		68		n
t r	Opstijgtijd			44		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			243		n
t F	Ouderdom			104		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			14.5		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			4.36		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =100A, r G =5.1Ω, V GE =±15V, L s =45 nH ,t Vj =150 O C		71		n
t r	Opstijgtijd			46		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			251		n
t F	Ouderdom			105		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			15.9		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			4.63		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t Vj =150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		400		A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =100A,V GE =0V,T Vj = 2 5O C		1.85	2.30	V
		I F =100A,V GE =0V,T Vj =125 O C		1.90
		I F =100A,V GE =0V,T Vj =150 O C		1.95
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =100A, -di/dt=961A/μs,V GE =-15V L s =45 nH ,t Vj =25 O C		7.92		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			46.4		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			2.25		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =100A, -di/dt=871A/μs,V GE =-15V L s =45 nH ,t Vj =125 O C		15.0		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			54.5		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			5.08		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =100A, -di/dt=853A/μs,V GE =-15V L s =45 nH ,t Vj =150 O C		18.8		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			58.9		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			6.67		mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
L CE	Inductie van de afwijking			30	nH
r CC+EE	Module Loodweerstand, Terminal naar chip		0.75		mΩ
r thJC	Junctie -Om -casus (perIGBT ) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)			0.252 0.446	K/W
r thCH	casus -Om -Verwarmingssink (perIGBT )De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)		0.157 0.277 0.050		K/W
m	het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m
G	Gewicht van Module		150		G