Alle Categorieën

IGBT-module 1700V

IGBT-module 1700V

homepage /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1700V

GD100HCX170C6SA ,IGBT Module,STARPOWER

IGBT Module, 1700V 100A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD100HCX170C6SA
  • Inleiding
  • Overzicht
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1700V 100A. Ik ben een

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Maximale aansluittemperatuur 175
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

  • andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1700

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

196

100

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

200

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T Vj = 175 O C

815

W

Diode

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd

1700

V

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

100

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

200

A

Module

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

t vjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

O C

t vjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

O C

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

O C

V iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t= 1 minuut

4000

V

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C =100A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.85

2.20

V

I C =100A,V GE =15V, t Vj =125 O C

2.25

I C =100A,V GE =15V, t Vj =150 O C

2.35

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =4.00 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand

7.5

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V

12.0

nF

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.29

nF

Q G

Gate-lading

V GE =-15 ...+15V

0.94

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C =100A, r G =1.0Ω,V GE =±15V, LS =52 nH ,t Vj =25 O C

196

n

t r

Opstijgtijd

44

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

298

n

t F

Ouderdom

367

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

26.4

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

14.7

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C =100A, r G =1.0Ω,V GE =±15V, LS =52 nH ,t Vj =125 O C

217

n

t r

Opstijgtijd

53

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

361

n

t F

Ouderdom

516

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

36.0

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

21.0

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C =100A, r G =1.0Ω,V GE =±15V, LS =52 nH ,t Vj =150 O C

223

n

t r

Opstijgtijd

56

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

374

n

t F

Ouderdom

551

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

39.1

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

22.4

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t Vj =150 O C,V CC =1000V,

V CEM ≤ 1700V

400

A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I F =100A,V GE =0V,T Vj = 2 5O C

1.80

2.25

V

I F =100A,V GE =0V,T Vj =125 O C

1.95

I F =100A,V GE =0V,T Vj =150 O C

1.90

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 900V,I F =100A,

-di/dt=1332A/μs,V GE =-15V LS =52 nH ,t Vj =25 O C

26.8

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

78

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

14.4

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 900V,I F =100A,

-di/dt=1091A/μs,V GE =-15V LS =52 nH ,t Vj =125 O C

42.3

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

86

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

23.7

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 900V,I F =100A,

-di/dt=1060A/μs,V GE =-15V LS =52 nH ,t Vj =150 O C

48.2

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

89

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

27.4

mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC+EE

Module Loodweerstand, Terminal naar chip

1.10

r thJC

Junctie -Om -casus (perIGBT ) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.184 0.274

K/W

r thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)

0.060 0.090 0.009

K/W

m

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

G

Gewicht van Module

350

G

Overzicht

image(c537ef1333).png

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000