GD1000HTA75P6HLT

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1000V 750A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
Lage schakellosses
6 μs kortsluiting
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale aansluittemperatuur 175 ℃
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerd koper pinfin onderstel met Si ₃N ₄AMB-technologie

Typische toepassingen

Automobieltoepassing
Hybride en elektrische voertuigen
andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	750	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I CN	Geïmplementeerde collector Cu rrent	1000	A
I C	Verzamelaarsstroom @ T F =125 O C	450	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	2000	A
P D	Maximale vermogensafvoer atie @ t F = 75 O C t Vj = 175 O C	1282	W

Diode

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	750	V
I FN	Geïmplementeerde collector Cu rrent	1000	A
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	450	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	2000	A

Module

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
t vjmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	O C
t vjop	Werkpunttemperatuur continu Tijdens 10 seconden binnen een periode van 30s, voorkomen maximaal 3000 keer over de levensduur	-40 tot +150 +150 tot +175	O C
t STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	O C
V iso	Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 Min.	2500	V
D - Wat een rotzooi.	Terminal naar Heatsink Terminal naar terminal	9.0 9.0	mm
D helder	Terminal naar Heatsink Terminal naar terminal	4.5 4.5	mm

IGBT Kenmerken t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C = 450 A,V GE =15V, t Vj =25 O C		1.10	1.35	V
		I C = 450 A,V GE =15V, t Vj =150 O C		1.10
		I C = 450 A,V GE =15V, t Vj = 175 O C		1.10
		I C =1000A,V GE =15V, t Vj =25 O C		1.40
		I C =1000A,V GE =15V, t Vj = 175 O C		1.60
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =12.9 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C	5.5	6.4	7.0	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C			1.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand			1.2		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V		66.7		nF
C oes	Uitgangscondensator			1.50		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen			0.35		nF
Q G	Gate-lading	V CE =400V,I C = 450A, V GE =-15…+15V		4.74		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC =400V,I C = 450A, r Gaat u goed? = 1,2Ω, r Goff. =1,0Ω, V GE =-8V/+15V, L s =24nH, T Vj =25 O C		244		n
t r	Opstijgtijd			61		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			557		n
t F	Ouderdom			133		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			11.0		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			22.8		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC =400V,I C = 450A, r Gaat u goed? = 1,2Ω, r Goff. =1,0Ω, V GE =-8V/+15V, L s =24nH, T Vj =150 O C		260		n
t r	Opstijgtijd			68		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			636		n
t F	Ouderdom			226		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			16.9		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			32.2		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC =400V,I C = 450A, r Gaat u goed? = 1,2Ω, r Goff. =1,0Ω, V GE =-8V/+15V, L s =24nH, T Vj = 175 O C		264		n
t r	Opstijgtijd			70		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			673		n
t F	Ouderdom			239		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			19.2		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			33.6		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 6 μs, V GE =15V, t Vj =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V		4900		A
		t P ≤3μs, V GE =15V, t Vj = 175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V		3800

Diode Kenmerken t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F = 450 A,V GE =0V,T Vj = 2 5O C		1.40	1.65	V
		I F = 450 A,V GE =0V,T Vj =150 O C		1.35
		I F = 450 A,V GE =0V,T Vj = 175 O C		1.30
		I F =1000A,V GE =0V,T Vj =25 O C		1.80
		I F =1000A,V GE =0V,T Vj = 175 O C		1.80
Q r	Teruggevorderde heffing	V r =400V,I F = 450A, -di/dt=7809A/μs,V GE =-8V L s =24 nH ,t Vj =25 O C		18.5		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			303		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			3.72		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r =400V,I F = 450A, -di/dt=6940A/μs,V GE =-8V L s =24 nH ,t Vj =150 O C		36.1		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			376		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			8.09		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r =400V,I F = 450A, -di/dt=6748A/μs,V GE =-8V L s =24 nH ,t Vj = 175 O C		40.1		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			383		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			9.01		mJ

NTC Kenmerken t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
r 25	Nominale weerstand			5.0		kΩ
∆R/R	Afwijking van r 100	t C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Vermogen dissipatie				20.0	mW
B 25/50	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Module Kenmerken t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
L CE	Inductie van de afwijking		8		nH
r CC+EE	Module loodweerstand, terminal tot chip		0.75		mΩ
P	Maximale druk in koelcircuit - De koek t Basisker < 40 O C t Basisker > 40 O C (relatieve druk)			2.5 2.0	bar
r de JF	Junctie -Om -Koeling Vloeistof (perIGBT )Junctie-naar-koelvloeistof (per D iodum) △ V/ △ t=10,0 dm 3/Min. ,t F = 75 O C		0.068 0.105	0.078 0.120	K/W
m	het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.m
G	Gewicht van Module		750		G