alle categorieën

IGBT Discrete

IGBT Discrete

Homepagina / producten / IGBT Discrete

DG75X12T2, IGBT-discreet, 1200V, 75A, STARPOWER

IGBT discrete, 1200V, 75A

Brand:
Stardragers
Spu:
DG75X12T2
  • inleiding
inleiding

Vriendelijke herinneringDe Commissiefof meerIGBT DiscreteStuur een e-mail.

kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • Lage schakelverliezen
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD

- Ik ben...

- Ik ben...

- Ik ben...

typisch- Ik ben...aanvragen

  • andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • AC- en DC-servo- Ik ben...rijden- Ik ben...versterker
  • Ononderbroken stroomvoorziening

Absoluut- Ik ben...maximaal- Ik ben...ratings- Ik ben...tc=25oc- Ik ben...tenzij- Ik ben...anders- Ik ben...Opgemerkt

- Ik ben...- Ik heb het niet.

Symbool

beschrijving

waarden

eenheid

vCES

Spanning van de collectieverzender

1200

v

vGES

Spanning van de poort-emitter

± 20

v

- Ikc

Collector Current @ Tc=25oC   @ Tc=100oc

150

75

a.

- Ikcm

gepulseerd- Ik ben...Verzamelaar- Ik ben...stroom- Ik ben...tp- Ik ben...beperkt- Ik ben...door- Ik ben...tvjmax

225

a.

pd

Maximale vermogensafvoer @ TVj= 175oc

852

w

Diode

- Ik ben...

Symbool

beschrijving

waarden

eenheid

vRRM

Herhalende piek omgekeerde voltleeftijd

1200

v

- Ikf

Diode Continuous Forward Current

75

a.

- Ikfm

gepulseerd- Ik ben...Verzamelaar- Ik ben...stroom- Ik ben...tp- Ik ben...beperkt- Ik ben...door- Ik ben...tvjmax

225

a.

Discrete

- Ik ben...

Symbool

beschrijving

waarden

eenheid

tvjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +175

oc

tSTG

opslagtemperatuurbereik

-55 tot +150

oc

ts

Soldeertemperatuur, 1.6mm van behuizing voor- Ik ben...10s

260

oc

- Ik ben...

- Ik heb het niet.- Ik ben...kenmerken- Ik ben...tc=25oc- Ik ben...tenzij- Ik ben...anders- Ik ben...Opgemerkt

- Ik ben...

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

- Ik ben...

- Ik ben...

vCE (sat)

- Ik ben...

- Ik ben...

Verzamelaar naar uitgevende instelling- Ik ben...Voltage van de verzadiging

- Ikc=75A,VGE=15V,- Ik ben...tVj=25oc

- Ik ben...

1.75

2.20

- Ik ben...

- Ik ben...

v

- Ikc=75A,VGE=15V,- Ik ben...tVj=150oc

- Ik ben...

2.10

- Ik ben...

- Ikc=75A,VGE=15V,- Ik ben...tVj= 175oc

- Ik ben...

2.20

- Ik ben...

vGE(De)

De grenswaarde voor de poort-emitter- Ik ben...Spanning

- Ikc=3.00- Ik ben...- Ja.v- De=vGE- Ja.- Ik ben...tVj=25oc

5.0

5.8

6.5

v

- IkCES

Verzamelaar- Ik ben...gesneden- Ik ben er.Afgeschakeldstroom

v- De=vCES- Ja.vGE=0V,- Ik ben...tVj=25oc

- Ik ben...

- Ik ben...

250

μA

- IkGES

Doorlaat van de poort-emitter- Ik ben...stroom

vGE=vGES- Ja.v- De=0V,tVj=25oc

- Ik ben...

- Ik ben...

100

- Nee.

rGint

Interne poortweerstand

- Ik ben...

- Ik ben...

2.0

- Ik ben...

Oh

c- Ja.

Ingangs capaciteit

- Ik ben...

v- De=25V, f=100kHz,- Ik ben...vGE=0V

- Ik ben...

6.58

- Ik ben...

nF

coes

Uitgangscondensator

- Ik ben...

0.40

- Ik ben...

- Ik ben...

cRes

Omgekeerde overdracht- Ik ben...Vermogen

- Ik ben...

0.19

- Ik ben...

nF

Qg

Gate-lading

vGE=-15…+15V

- Ik ben...

0.49

- Ik ben...

μC

td(op)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

- Ik ben...

- Ik ben...

vcc= 600V,Ic=75A,- Ik ben...rg= 4,7Ω,

vGE=±15V,- Ik ben...Ls=40nH,

tVj=25oc

- Ik ben...

41

- Ik ben...

n

tr

Opstijgtijd

- Ik ben...

135

- Ik ben...

n

td(uit)

Afsluiting- Ik ben...vertragingstijd

- Ik ben...

87

- Ik ben...

n

tf

Ouderdom

- Ik ben...

255

- Ik ben...

n

eop

Aanzetten- Ik ben...overstappen- Ik ben...verlies

- Ik ben...

12.5

- Ik ben...

MJ

eAfgeschakeld

Afschakeling- Ik ben...verlies

- Ik ben...

3.6

- Ik ben...

MJ

td(op)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

- Ik ben...

- Ik ben...

vcc= 600V,Ic=75A,- Ik ben...rg= 4,7Ω,

vGE=±15V,- Ik ben...Ls=40nH,

tVj=150oc

- Ik ben...

46

- Ik ben...

n

tr

Opstijgtijd

- Ik ben...

140

- Ik ben...

n

td(uit)

Afsluiting- Ik ben...vertragingstijd

- Ik ben...

164

- Ik ben...

n

tf

Ouderdom

- Ik ben...

354

- Ik ben...

n

eop

Aanzetten- Ik ben...overstappen- Ik ben...verlies

- Ik ben...

17.6

- Ik ben...

MJ

eAfgeschakeld

Afschakeling- Ik ben...verlies

- Ik ben...

6.3

- Ik ben...

MJ

td(op)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

- Ik ben...

- Ik ben...

vcc= 600V,Ic=75A,- Ik ben...rg= 4,7Ω,

vGE=±15V,- Ik ben...Ls=40nH,

tVj= 175oc

- Ik ben...

46

- Ik ben...

n

tr

Opstijgtijd

- Ik ben...

140

- Ik ben...

n

td(uit)

Afsluiting- Ik ben...vertragingstijd

- Ik ben...

167

- Ik ben...

n

tf

Ouderdom

- Ik ben...

372

- Ik ben...

n

eop

Aanzetten- Ik ben...overstappen- Ik ben...verlies

- Ik ben...

18.7

- Ik ben...

MJ

eAfgeschakeld

Afschakeling- Ik ben...verlies

- Ik ben...

6.7

- Ik ben...

MJ

- Iksc

- Ik ben...

SC-gegevens

tp≤ 10 μs,vGE=15V,

tVj= 175oC,Vcc= 800V,- Ik ben...vCEM≤ 1200V

- Ik ben...

- Ik ben...

300

- Ik ben...

- Ik ben...

a.

Diode- Ik ben...kenmerken- Ik ben...tc=25oc- Ik ben...tenzij- Ik ben...anders- Ik ben...Opgemerkt

- Ik ben...

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

- Ik ben...

vf

Diode naar voren- Ik ben...Spanning

- Ikf=75A,VGE=0V,TVj= 25oc

- Ik ben...

1.75

2.20

- Ik ben...

v

- Ikf=75A,VGE=0V,TVj=150oc

- Ik ben...

1.75

- Ik ben...

- Ikf=75A,VGE=0V,TVj=175oc

- Ik ben...

1.75

- Ik ben...

trr

Diode omgekeerd- Ik ben...hersteltijd

- Ik ben...

vr= 600V,If=75A,

-di/dt=370A/μs,VGE=-15v,- Ik ben...Ls=40nH,

tVj=25oc

- Ik ben...

267

- Ik ben...

n

Qr

Teruggevorderde heffing

- Ik ben...

4.2

- Ik ben...

μC

- IkRM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

- Ik ben...

22

- Ik ben...

a.

erec

Omgekeerd herstel- Ik ben...energie

- Ik ben...

1.1

- Ik ben...

MJ

trr

Diode omgekeerd- Ik ben...hersteltijd

- Ik ben...

vr= 600V,If=75A,

-di/dt=340A/μs,VGE=-15v,- Ik ben...Ls=40nH,

tVj=150oc

- Ik ben...

432

- Ik ben...

n

Qr

Teruggevorderde heffing

- Ik ben...

9.80

- Ik ben...

μC

- IkRM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

- Ik ben...

33

- Ik ben...

a.

erec

Omgekeerd herstel- Ik ben...energie

- Ik ben...

2.7

- Ik ben...

MJ

trr

Diode omgekeerd- Ik ben...hersteltijd

- Ik ben...

vr= 600V,If=75A,

-di/dt=320A/μs,VGE=-15v,- Ik ben...Ls=40nH,

tVj= 175oc

- Ik ben...

466

- Ik ben...

n

Qr

Teruggevorderde heffing

- Ik ben...

11.2

- Ik ben...

μC

- IkRM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

- Ik ben...

35

- Ik ben...

a.

erec

Omgekeerd herstel- Ik ben...energie

- Ik ben...

3.1

- Ik ben...

MJ

- Ik ben...

- Ik ben...

- Ik ben...

Discrete- Ik ben...kenmerken- Ik ben...tc=25oc- Ik ben...tenzij- Ik ben...anders- Ik ben...Opgemerkt

- Ik ben...

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

rthJC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens:T)De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D)iodum)

- Ik ben...

- Ik ben...

0.176- Ik ben...0.371

K/W

rthJA

Junction-to-Ambient

- Ik ben...

40

- Ik ben...

K/W

een gratis offerte krijgen

Onze vertegenwoordiger zal u spoedig contacteren.
Email
naam
naam van het bedrijf
bericht
0/1000

gerelateerd product

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consult.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

een offerte krijgen

een gratis offerte krijgen

Onze vertegenwoordiger zal u spoedig contacteren.
Email
naam
naam van het bedrijf
bericht
0/1000