1700V

Simbol

parameter

Keadaan Ujian

nilai

 Unit

VCES

Voltan kolektor-emiter

VGE = 0V, TC = 25 °C

1700

v

VGES

Voltan penyiaran pintu

TC= 25 °C

± 20

v

i

Arus kolektor-penerbit

TC = 65 °C

1400

a

IC ((PK)

集电极峰值电流

Arus puncak kolektor

tP=1ms

2800

a

Pmax

Maks. pengaliran kuasa transistor

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

6.25

kw

I2t

Dioda I2t

VR = 0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

145

kA2s

- Saya tak tahu.

Visol

Voltan penebat - setiap modul

Terminal biasa ke plat asas), AC RMS,1 minit, 50Hz, TC= 25 °C

- Saya tak tahu.

4000

- Saya tak tahu.

v

Simbol

parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

- Max.

 Unit

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

ICES

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

Arus pemotongan kolektor

VGE = 0V,VCE = VCES

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

1

Ibu

VGE = 0V, VCE = VCES, TC = 125 °C

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

20

Ibu

VGE = 0V, VCE = VCES, TC = 150 °C

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

30

Ibu

IGES

Pasaran kebocoran pintu

VGE = ±20V, VCE = 0V

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

0.5

μA

VGE (TH)

Voltan ambang pintu

IC = 30mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

v

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

VCE (berada)

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

Penuh kolektor-emiter- Saya tak tahu.voltan

VGE = 15V, IC = 1400A

- Saya tak tahu.

2.00

2.40

v

VGE = 15V, IC = 1400A, Tvj = 125 °C

- Saya tak tahu.

2.45

2.70

v

VGE = 15V, IC = 1400A, Tvj = 150 °C

- Saya tak tahu.

2.55

2.80

v

jika

Diod arus ke hadapan

dc

- Saya tak tahu.

1400

- Saya tak tahu.

a

IFRM

Pasaran arus hadapan puncak dioda

tP = 1ms

- Saya tak tahu.

2800

- Saya tak tahu.

a

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

VF(*1)

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

Voltan dioda ke hadapan

IF = 1400A, VGE = 0

- Saya tak tahu.

1.80

2.20

v

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

- Saya tak tahu.

1.95

2.30

v

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

- Saya tak tahu.

2.00

2.40

v

- Saya tak tahu.

Isk

- Saya tak tahu.

arus litar pendek

Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE ((max) = VCES L ((*2) ×di/dt, IEC 6074-9

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

5400

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

a

Ces

kapasiti input

Kapasiti input

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

- Saya tak tahu.

113

- Saya tak tahu.

NF

Qg

Bayaran pintu

±15V

- Saya tak tahu.

11.7

- Saya tak tahu.

μC

Cres

Kapasiti pemindahan terbalik

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

- Saya tak tahu.

3.1

- Saya tak tahu.

NF

Saya

Induktansi modul

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

10

- Saya tak tahu.

- Tidak

RINT

Rintangan transistor dalaman

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

0.2

- Saya tak tahu.

mΩ

- Saya tak tahu.

td ((off)

- Saya tak tahu.

Masa kelewatan penutupan

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

IC = 1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG ((OFF) = 1.8Ω, LS = 20nH,

dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

- Saya tak tahu.

1520

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

n

Tvj= 125 °C

- Saya tak tahu.

1580

- Saya tak tahu.

Tvj= 150 °C

- Saya tak tahu.

1600

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

tf

- Saya tak tahu.

下降时间Waktu kejatuhan

Tvj= 25 °C

- Saya tak tahu.

460

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

n

Tvj= 125 °C

- Saya tak tahu.

610

- Saya tak tahu.

Tvj= 150 °C

- Saya tak tahu.

650

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

EOFF

- Saya tak tahu.

Kehilangan tenaga penutupan

Tvj= 25 °C

- Saya tak tahu.

460

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

mJ

Tvj= 125 °C

- Saya tak tahu.

540

- Saya tak tahu.

Tvj= 150 °C

- Saya tak tahu.

560

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

td ((on)

- Saya tak tahu.

Masa kelewatan penyambutan

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

IC = 1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG(ON) = 1.2Ω, LS = 20nH,

di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

- Saya tak tahu.

400

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

n

Tvj= 125 °C

- Saya tak tahu.

370

Tvj= 150 °C

- Saya tak tahu.

360

- Saya tak tahu.

tr

- Saya tak tahu.

Masa naik

Tvj= 25 °C

- Saya tak tahu.

112

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

n

Tvj= 125 °C

- Saya tak tahu.

120

Tvj= 150 °C

- Saya tak tahu.

128

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

EON

- Saya tak tahu.

Kehilangan tenaga semasa menyala

Tvj= 25 °C

- Saya tak tahu.

480

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

mJ

Tvj= 125 °C

- Saya tak tahu.

580

- Saya tak tahu.

Tvj= 150 °C

- Saya tak tahu.

630

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

Qrr

Diod belakang

Bayaran pemulihan

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

IF = 1400A, VCE = 900V,

- diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

- Saya tak tahu.

315

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

μC

Tvj= 125 °C

- Saya tak tahu.

440

- Saya tak tahu.

Tvj= 150 °C

- Saya tak tahu.

495

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

Irr

Diod belakang

arus pemulihan

Tvj= 25 °C

- Saya tak tahu.

790

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

a

Tvj= 125 °C

- Saya tak tahu.

840

- Saya tak tahu.

Tvj= 150 °C

- Saya tak tahu.

870

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

Erec

Diod belakang

Tenaga pemulihan

Tvj= 25 °C

- Saya tak tahu.

190

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

mJ

Tvj= 125 °C

- Saya tak tahu.

270

- Saya tak tahu.

Tvj= 150 °C

- Saya tak tahu.

290

- Saya tak tahu.