Y50ZYB,Mīkstās atgūšanas diods

I _T(AV)

1800A

V _RRM

800V 1000V

1200V 1400V

Sīkāku informāciju

Iemesls

Testēšanas apstākļi

Tj( °C )

vērtību

Drošības un drošības politika

min

Tips

max

IF(AV)

Vidējais priekšējais strāva

180。pusviļņa 50Hz divpusēji dzesēts,

Tsink=55 °C

125

1800

A

IRRM

Atkārtota maksimuma strāva

pie VRRM

125

100

mA

IFSM

Pārsprieguma uz priekšu strāva

10ms pusviļņa VR=0.6VRRM

125

25

kA

I2t

I2t saplūšanas koordinācijai

3125

A ²s*10 ³

VFO

Sīkāko spiedienu

125

1.150

V

rF

Priekšējā slīpuma pretestība

0.138

mΩ

VFM

Maksimālā priekšējā spriegums

@ IFM=3000A

F=24kN

25

1.70

V

@ IFM=4500A

125

1.77

VFRM

Maksimālais priekšējais atgūšanas spriegums

di/dt=1000A/µs

125

14

V

25

10

V

IRM

Atpakaļgaitas atjaunošanas strāva

IFM=1000A, tp=4000µs, -di/dt=60A/µs, VR=50V

125

50

A

trr

Atpakaļgaitas atjaunošanas laiks

3.0

μs

Qrr

atgūstamās izmaksas

150

μC

Rth(j-c)

Siltuma pretestība no savienojuma līdz korpusam

Pie 180 ° sinuss, divpusēji dzesēts Saspiešanas spēks 24kN

0.021

°C /W

Rth(c-h)

Siltuma pretestība no korpusa uz siltuma izkliedētāju

0.005

FM

Montāžas spēks

19

26

KN

Tjop

Darbības temperatūras diapazons

-40

125

°C

TSTG

Uzglabāšanas temperatūra

-40

150

°C

Wt

Svars

440

G

Kontūra

ZT50cT