MTC55,Metināšanas tiristora taisngrieža modulis,Gaisa dzesēšana

VDRM,VRRM

Tips un kontūra

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MTC55-06-224H3/224H3B

MTC55-08-224H3/224H3B

MTC55-10-224H3/224H3B

MTC55-12-224H3/224H3B

MTC55-14-224H3/224H3B

MTC55-16-224H3/224H3B

MTC55-18-224H3/224H3B

Sīkāku informāciju

Iemesls

Testēšanas apstākļi

Tj( °C )

vērtību

Drošības un drošības politika

min

Tips

max

IT(AV)

Vidējā ieslēgšanās strāva

180° pusviļņa 50Hz

Vienpusēji dzesēts, Tc =85 °C

125

55

A

IT ((RMS)

RMS aktīvā strāva

125

86

A

Idrm Irrm

Atkārtota maksimuma strāva

pie VDRM pie VRRM

125

15

mA

ITSM

Pārsprieguma ieslēgšanās strāva

10ms pusēna viļņi VR=60%VRRM

125

1.7

kA

I2t

I2t saplūšanas koordinācijai

14.5

10³A ²s

VTO

Sīkāko spiedienu

125

0.75

V

rt

Ieslēgšanās slīpuma pretestība

4.05

mΩ

VTM

Maksimālais ieslēgšanās spriegums

ITM= 170A

25

1.60

V

dv/dt

Kritiskā izslēgšanās sprieguma pieauguma ātrums

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Sadarbības stāvokļa strāvas kritiskā pieauguma ātrums

Vārsta avots 1.5A

tr ≤0.5μs Atkārtota

125

200

A/μs

IGT

Vārsta aktivizēšanas strāva

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Vārsta aktivizēšanas spriegums

0.6

2.5

V

IH

Turēšanas strāva

10

250

mA

IL

Bloķēšanas strāva

1000

mA

VGD

Neaktivizējošais vārsta spriegums

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Siltuma pretestība no savienojuma līdz korpusam

Vienpusēji dzesēts, uz čipa

0.47

°C )/W

Rth(c-h)

Siltuma pretestība korpuss uz siltuma izkliedētāju

Vienpusēji dzesēts, uz čipa

0.15

°C ) /W

VISO

Izolācijas spriegums

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Termiskā savienojuma griezes moments (M5)

2.5

4.0

N·m

Montāžas griezes moments (M6)

4.5

6.0

N·m

TVj

Junkcijas temperatūra

-40

125

°C )

TSTG

Uzglabāšanas temperatūra

-40

125

°C )

Wt

Svars

100

G

Kontūra

224H3, 224H3B