MK(H)x150 MK150 , īsas atslēgšanas tiristoru moduļi, gaisa dzesēšana

ātrās izslēgšanas tiristoru moduļi

MK(H)x150 MK150, ātra izslēgšanās tiristoru moduļi, gaisa dzenīšana

150A,600V ~ 1800V, 413F3D

Brand:

TECHSEM

Spu:

MK(H) x150 MK150

Appurtenance:

Produkta brošūra: LEJUPIELĀDĒT

Ievads
Kontūra
Ekvivalentā shēma

Ievads

Īss ievads

ātrās izslēgšanas tiristoru moduļi ,MK(H) x200 MK200, 200A, gaisa dzesēšana ,TECHSEM.

VRRM,VDRM	Tips un kontūra
600V	MKx150-06-413F3D	MHx150-06-413F3D
800V	MKx150-08-413F3D	MHx150-08-413F3D
1000V	MKx150-10-413F3D	MHx150-10-413F3D
1200V	MKx150-12-413F3D	MHx150-12-413F3D
1400V	MKx150-14-413F3D	MHx150-14-413F3D
1600V	MKx150-16-413F3D	MHx150-16-413F3D
1800V	MKx150-18-413F3D	MHx150-18-413F3D
1800V	MK150-18-413F3DG

MKx apzīmē jebkura veida MKC, MKA, MKK

MHx apzīmē jebkura veida MHC, MHA, MHK

Iespējas ：

Izstrādātāji uz leju 2500V ~
Spiediena kontaktu tehnoloģija ar Augstums spēka cikla spēks
Vieta un svars sa uzlādēt

Tipiskas lietošanas metodes ：

Invertors
Induktīvā sildīšana
Griezējs

Sīkāku informāciju	Iemesls	Testēšanas apstākļi	Tj( °C )	vērtību			Drošības un drošības politika
Sīkāku informāciju	Iemesls	Testēšanas apstākļi	Tj( °C )	min	Tips	max	Drošības un drošības politika
IT(AV)	Vidējā ieslēgšanās strāva	180° pusviļņa 50Hz Viena puse dzesēta,Tc=85 °C	125			150	A
IT ((RMS)	RMS aktīvā strāva	180° pusviļņa 50Hz Viena puse dzesēta,Tc=85 °C	125			236	A
Idrm Irrm	Atkārtota maksimuma strāva	pie VDRM pie VRRM	125			50	mA
ITSM	Pārsprieguma ieslēgšanās strāva	10ms pusēna viļņi VR=60%VRRM	125			3.4	kA
I2t	I2t saplūšanas koordinācijai	10ms pusēna viļņi VR=60%VRRM	125			58	10³A ²s
VTO	Sīkāko spiedienu		125			1.78	V
rt	Ieslēgšanās slīpuma pretestība		125			0.70	m
VTM	Maksimālais ieslēgšanās spriegums	ITM=450A	25			2.65	V
dv/dt	Kritiskā izslēgšanās sprieguma pieauguma ātrums	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	Sadarbības stāvokļa strāvas kritiskā pieauguma ātrums	Vārsta avots 1.5A tr ≤0.5μs Atkārtota	125			200	A/μs
Tq	Cikla komutācijas izslēgšanās laiks	ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs	125	20		40	μs
Tq	Cikla komutācijas izslēgšanās laiks	ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs	25	6		16	μs
IGT	Vārsta aktivizēšanas strāva	VA= 12V, IA= 1A	25	30		180	mA
Vgt	Vārsta aktivizēšanas spriegums			0.8		2.5	V
IH	Turēšanas strāva			20		200	mA
IL	Bloķēšanas strāva					1000	mA
VGD	Neaktivizējošais vārsta spriegums	VDM= 67%VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	Siltuma pretestība no savienojuma līdz korpusam	Vienpusēji dzesēts katram mikroshēmai				0.130	°C /W
Rth(c-h)	Siltuma pretestība korpuss uz siltuma izkliedētāju	Vienpusēji dzesēts katram mikroshēmai				0.030	°C /W
VISO	Izolācijas spriegums	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		2500			V
FM	Termināla savienojuma griezes moments(M8)			10.0		12.0	N·m
FM	Montāžas griezes moments (M6)			4.5		6.0	N·m
TVj	Junkcijas temperatūra			-40		125	°C
TSTG	Uzglabāšanas temperatūra			-40		125	°C
Wt	Svars				770		G
Kontūra	413F3D