IGBT modulis 4500V

Parametrs/参数

Simbols/符号

Nosacījumi/条件

min

max

Drošības un drošības politika

Sildītājs-izsildītājs Kolektors -Izstarošanas spriegums

V Tips

V ĢEN =0V,T vj ≥25°C

4500

V

DC kolektors Pašreiz 集电极电流

I C

T C =80°C

650

A

Pīķa kolektors Pašreiz kolektora maksimālā strāva

I CM

tp=1ms,Tc=80°C

1300

A

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums Vārsta izstarošanas spriegums

V =150 °C

-20

20

V

Kopēja Jaudas izkliede Kopējā jaudas zudums

p tot

T C =25°C,perswitch(IGBT)

6670

Platums

DC priekšējā strāva Tiešā pozitīvā strāva

I F

650

A

Pīķa priekšējā strāva Pīķa pozitīvā strāva

I Diodes uzpriekšējā strāva

TP=1ms

1300

A

Pārspriegums Pašreiz 浪涌电流

I FSM

V r =0V,T vj =125°C,tp=10ms, puse-sinusa viļņi

5300

A

IGBT īss Īpašums SOA IGBT īssavienojuma drošības darba zona

T PSc

V CC =3400V,V CEMCHIP ≤4500V V ĢEN ≤15V,Tvj≤125°C

10

μ s

Izolācijas spriegums 绝缘电压

V izoli

1 min, f=50 Hz

10200

V

Junkcijas temperatūra 结温

T vj

150

°C

Savienojuma darba temperatūra erature darba temperatūra

T vj(op)

-50

125

°C

Korpusa temperatūra 温

T C

-50

125

°C

uzglabāšanas temperatūra 储存温度

T STG

-50

125

°C

Montāžas griezes momenti instalācijas jauda

m s

4

6

Nm

m T 1

8

10

m T 2

2

3

Parametrs/参数

Simbols/符号

Nosacījumi/条件

min

Tips

max

Drošības un drošības politika

Kolektors (- emiters) pārtraukums Spriegums

Kolektors -Izstarošanas bloķēšanas spriegums

V (BR) CES

V ĢEN =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

4500

V

Sātums kolektorā un emitentā Spriegums

Kolektors -Izstarošanas piesātinājuma spriegums

V CEsat

I C =650A, V ĢEN =15V

Tvj= 25°C

2.7

3.2

V

Tvj=125°C

3.4

3.8

V

Kolektora izslēgšana Pašreiz 集电极截止电流 (Klīniskā elektriskā plūsma)

I Tips

V CE =4500V, V ĢEN =0V

Tvj= 25°C

10

mA

Tvj=125°C

100

mA

Vārsts svārstīšanās strāva 极漏电流

I =150 °C

V CE =0V,V ĢEN =20V, T vj = 125°C

-500

500

nA

Vārsta-emisijas sliekšņa spriegums Vārsta izstarošanas sliekšņa spriegums

V GE (š)

I C =160mA,V CE =V ĢEN , T vj =25°C

4.5

6.5

V

Vārsts Uzlāde 极电荷

Q G

I C =650A,V CE = 2800V, V ĢEN =-15V … 15V

5.4

μC

ies ievades jauda

C 125 °C

V CE =25V,V ĢEN =0V, f=1MHz,T vj =25°C

71.4

MHz

Izvades jauda izejas jauda

C ejs

4.82

Apgādes pārneses kapacitāte Atpakaļ pārvietošanās kapacitāte

C pretestība

1.28

Ieslēgšanas aizkave Laiks Ieslēgšanas aizkaves laiks

T d ((on)

V CC = 2800V,

I C =650A,

r G =2.2 Ω ,

V ĢEN =±15V,

Garums σ =280nH,

感性负载

TVj = 25 °C

420

ns

TVj = 125 °C

528

Atkāpšanās laiks Pacešanās laiks

T r

TVj = 25 °C

160

TVj = 125 °C

190

Izslēgšanas kavējuma laiks Izslēgšanas aizkave

T D (Izslēgt )

TVj = 25 °C

2100

ns

TVj = 125 °C

2970

Nolieku laiks Nepieciešams

T F

TVj = 25 °C

1600

TVj = 125 °C

2760

Slēpšanas pārvēršana zudumu enerģija Ieslēgšanas zudumu enerģija

E ieslēgta

TVj = 25 °C

1000

mJ

TVj =125 °C

1600

Izslēgtas zudumu enerģija Izslēgšanas zudumu enerģija

E Izslēgt

TVj = 25 °C

2000

mJ

TVj =125 °C

2740

īssaites strāva Pašreiz īssavienojuma strāva

I SC

T PSc ≤ 10μ s, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 125°C,V CC = 3400V

3940

A

Parametrs/参数

Simbols/符号

Nosacījumi/条件

min

Tips

max

Drošības un drošības politika

Uz priekšu spriegums virszemes spiediens

V F

I F =650A

TVj = 25 °C

3.2

V

TVj = 125 °C

3.6

atkārtots atgūšanas strāvas atpakaļ atjaunošanas strāva

I R

V CC = 2800V,

I C =650A,

r G =2.2 Ω ,

V ĢEN =±15V,

Garums σ =280nH,

感性负载

TVj = 25 °C

1200

A

TVj = 125 °C

1300

A

Atgūstamā nodeva Atjaunošanas lādiņš

Q R

TVj = 25 °C

450

μC

TVj = 125 °C

550

μC

atkārtots Atgūšanas laiks atpakaļ atjaunošanas laiks

T R

TVj = 25 °C

660

ns

TVj = 125 °C

750

atkārtots atjaunojamo enerģiju atpakaļ atjaunošanas enerģija

E Rec

TVj =25 °C

720

mJ

TVj = 125 °C

860