IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektors Pašreiz @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

630

400

A

I CM

Pulss Kolektors Pašreiz T p =1 Lūdzu

800

A

p D

Maksimālā Jauda Zudums @ T j =175 O C

2083

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtraukta tālvadība

400

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

800

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra uzvedība

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 uz +150

O C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 uz +125

O C

V ISO

Izolācija Spriegums RMS ,f=50 Hz ,t=1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (= 40 )

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =400A, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C =400A, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

1.95

I C =400A, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.00

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 10.0mA ,V CE = V ĢEN ,T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I Tips

Slēgtā daļa

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V,

T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība

1.9

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1 = 25V, ,

V ĢEN =0V

41.4

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.16

MHz

Q G

nF

V ĢEN =- 15V...+15V

3.11

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =600V, I C =400A, r G =2.0Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 O C

257

ns

T r

Atkāpšanās laiks

96

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

628

ns

T F

Nolieku laiks

103

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

23.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

34.0

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =600V, I C =400A, r G =2.0Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 125O C

268

ns

T r

Atkāpšanās laiks

107

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

659

ns

T F

Nolieku laiks

144

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

35.3

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

51.5

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =600V, I C =400A, r G =2.0Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 150O C

278

ns

T r

Atkāpšanās laiks

118

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

680

ns

T F

Nolieku laiks

155

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

38.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

56.7

mJ

I SC

SC dati

T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C ,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =400A, V ĢEN =0V, T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F =400A, V ĢEN =0V, T j = 125O C

1.85

I F =400A, V ĢEN =0V, T j = 150O C

1.85

Q r

Atgūstamā nodeva

V r =600V, I F =400A,

-di /dt = 5000A/μs, V ĢEN =- 15V T j =25 O C

38.0

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

285

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

19

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r =600V, I F =400A,

-di /dt = 5000A/μs, V ĢEN =- 15V T j = 125O C

66.5

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

380

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

36.6

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r =600V, I F =400A,

-di /dt = 5000A/μs, V ĢEN =- 15V T j = 150O C

76.0

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

399

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

41.8

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC + EE ’

Modulā Rūgtumvirziens, termināls uz Čipu

0.18

mΩ

r TJC

Savienojums -uz -Gadījums (par IGBT )

Savienojums -uz -Gadījums (par Dioda )

0.072

0.095

K/W

r tCH

Gadījums -uz -Siltumapdalītājs (par IGBT )

Gadījums -uz -Siltumapdalītājs (par Dioda )

Izmantošana

0.018

0.023

0.010

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, Šķirp M6 Montāža Nomākšanas , Šķirp m 6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Masas modulis

300

G