GD400SGY120C2S,IGBT modulis,STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektors Pašreiz @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

630

400

A

I CM

Pulss Kolektors Pašreiz t p =1 lūdzu

800

A

P D

Maksimālā Jauda Zudums @ T j =175 o C

2083

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtraukta tālvadība

400

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

800

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra uzvedība

175

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 uz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 uz +125

o C

V ISO

Izolācija Spriegums RMS ,f=50 Hz ,t=1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (= 40 )

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =400A, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C

1.70

2.15

V

I C =400A, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 o C

1.95

I C =400A, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C

2.00

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 10.0mA ,V CE = V ĢEN ,T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I Tips

Slēgtā daļa

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V,

T j =25 o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība

1.9

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=1 = 25V, ,

V ĢEN =0V

41.4

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.16

mHz

Q G

NF

V ĢEN =- 15V...+15V

3.11

μC

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =600V, I C =400A, R G =2.0Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 o C

257

ns

t r

Atkāpšanās laiks

96

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

628

ns

t f

Nolieku laiks

103

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

23.5

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

34.0

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =600V, I C =400A, R G =2.0Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 125o C

268

ns

t r

Atkāpšanās laiks

107

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

659

ns

t f

Nolieku laiks

144

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

35.3

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

51.5

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =600V, I C =400A, R G =2.0Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 150o C

278

ns

t r

Atkāpšanās laiks

118

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

680

ns

t f

Nolieku laiks

155

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

38.5

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

56.7

mJ

I SC

SC dati

t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 o C ,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =400A, V ĢEN =0V, T j =25 o C

1.80

2.25

V

I F =400A, V ĢEN =0V, T j = 125o C

1.85

I F =400A, V ĢEN =0V, T j = 150o C

1.85

Q r

Atgūstamā nodeva

V R =600V, I F =400A,

-di /dt = 5000A/μs, V ĢEN =- 15V T j =25 o C

38.0

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

285

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

19

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R =600V, I F =400A,

-di /dt = 5000A/μs, V ĢEN =- 15V T j = 125o C

66.5

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

380

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

36.6

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R =600V, I F =400A,

-di /dt = 5000A/μs, V ĢEN =- 15V T j = 150o C

76.0

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

399

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

41.8

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

R CC + EE ’

Modulā Rūgtumvirziens, termināls uz Čipu

0.18

mΩ

R tJC

Savienojums -uz -KĻŪDA (par IGBT )

Savienojums -uz -KĻŪDA (par Dioda )

0.072

0.095

K/W

R tCH

KĻŪDA -uz -Siltumapdalītājs (par IGBT )

KĻŪDA -uz -Siltumapdalītājs (par Dioda )

Izmantošana

0.018

0.023

0.010

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, Šķirp M6 Montāža Nomākšanas , Šķirp M 6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Masas Modulis

300

g