Visas kategorijas

IGBT modulis 1200V

IGBT modulis 1200V

Sākumlapa /  Produkti /  IGBT modulis /  IGBT modulis 1200V

GD400HFX120C2S, IGBT modulis, STARPOWER

1200V 400A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400HFX120C2S
  • Ievads
  • Kontūra
Ievads

Īss ievads

IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1200V 400A.

Iespējas

  • Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
  • 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
  • VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
  • Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
  • Zema induktivitātes kārta
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiska Lietojumi

  • Inverteris motora vadībai
  • AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
  • Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

595

400

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p = Diodes maksimālā uzpriekšējā

800

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C

1875

Platums

Dioda

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

400

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

800

A

modulis

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =400A,V ĢEN = 15 V, T j =25 O C

1.75

2.20

V

I C =400A,V ĢEN = 15 V, T j =125 O C

2.00

I C =400A,V ĢEN = 15 V, T j = 150 O C

2.05

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 10.0mA,V CE =V ĢEN , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.5

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

37.3

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.04

MHz

Q G

nF

V ĢEN =- 15...+15V

2.80

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G =2.0Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 O C

205

ns

T r

Atkāpšanās laiks

77

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

597

ns

T F

Nolieku laiks

98

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

18.8

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

32.3

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G =2.0Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 125O C

214

ns

T r

Atkāpšanās laiks

86

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

626

ns

T F

Nolieku laiks

137

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

28.4

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

48.9

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G =2.0Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 150O C

198

ns

T r

Atkāpšanās laiks

94

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

646

ns

T F

Nolieku laiks

147

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

30.8

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

53.8

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN = 15 V,

T j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1440

A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =400A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.75

2.15

V

I F =400A,V ĢEN =0V,T j = 125O C

1.65

I F =400A,V ĢEN =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 O C

40

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

299

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

20.0

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 125O C

70

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

399

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

38.4

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150O C

80

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

419

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

43.9

mJ

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

15

nH

r CC+EE

Modulā "Slēpuma pretestība" Nce, termināls uz čipu

0.25

r TJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.080

0.095

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)

Izmērs: Modulis)

0.037

0.044

0.010

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars of modulis

300

G

Kontūra

image(c3756b8d25).png

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

SAISTĪTS PRODUKTS

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Iegūstiet piedāvājumu

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000