1200V 400A
Īss ievads
IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1200V 400A.
Iespējas
Tipiska Lietojumi
Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 O C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju | Apraksts | vērtību | Drošības un drošības politika |
V Tips | Sildītājs-izsildītājs | 1200 | V |
V =150 °C | Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums | ±20 | V |
I C | Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =90 O C | 595 400 | A |
I CM | Impulsu kolektora strāva t p = Diodes maksimālā uzpriekšējā | 800 | A |
p D | Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C | 1875 | Platums |
Dioda
Sīkāku informāciju | Apraksts | vērtību | Drošības un drošības politika |
V RRM | Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums | 1200 | V |
I F | Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde | 400 | A |
I FM | Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms | 800 | A |
modulis
Sīkāku informāciju | Apraksts | vērtību | Drošības un drošības politika |
T jmax | Maksimālā savienojuma temperatūra | 175 | O C |
T žop | Darbības savienojuma temperatūra | -40 līdz +150 | O C |
T STG | uzglabāšanas temperatūra Diapazons | -40 līdz +125 | O C |
V ISO | Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min | 4000 | V |
IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju | Parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Max. | Drošības un drošības politika |
V CE (sat) |
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums | I C =400A,V ĢEN = 15 V, T j =25 O C |
| 1.75 | 2.20 |
V |
I C =400A,V ĢEN = 15 V, T j =125 O C |
| 2.00 |
| |||
I C =400A,V ĢEN = 15 V, T j = 150 O C |
| 2.05 |
| |||
V ĢEN (ts ) | Vārda emitenta slieksnis Spriegums | I C = 10.0mA,V CE =V ĢEN , T j =25 O C | 5.2 | 6.0 | 6.8 | V |
I Tips | Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz | V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C |
|
| 5.0 | mA |
I =150 °C | Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz | V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C |
|
| 400 | nA |
r Gint | Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
| 0.5 |
| Ω |
C 125 °C | ies | V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V |
| 37.3 |
| MHz |
C pretestība | Atgriezītais pārvedums Jauda |
| 1.04 |
| MHz | |
Q G | nF | V ĢEN =- 15...+15V |
| 2.80 |
| μC |
T D (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C =400A, r G =2.0Ω, V ĢEN =±15V, T j =25 O C |
| 205 |
| ns |
T r | Atkāpšanās laiks |
| 77 |
| ns | |
T D (Izslēgt ) | Izslēgt Atlikušais laiks |
| 597 |
| ns | |
T F | Nolieku laiks |
| 98 |
| ns | |
E ieslēgta | Slēgt Pārslēgšana zaudējumi |
| 18.8 |
| mJ | |
E Izslēgt | Izslēgtas zaudējumi |
| 32.3 |
| mJ | |
T D (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C =400A, r G =2.0Ω, V ĢEN =±15V, T j = 125O C |
| 214 |
| ns |
T r | Atkāpšanās laiks |
| 86 |
| ns | |
T D (Izslēgt ) | Izslēgt Atlikušais laiks |
| 626 |
| ns | |
T F | Nolieku laiks |
| 137 |
| ns | |
E ieslēgta | Slēgt Pārslēgšana zaudējumi |
| 28.4 |
| mJ | |
E Izslēgt | Izslēgtas zaudējumi |
| 48.9 |
| mJ | |
T D (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C =400A, r G =2.0Ω, V ĢEN =±15V, T j = 150O C |
| 198 |
| ns |
T r | Atkāpšanās laiks |
| 94 |
| ns | |
T D (Izslēgt ) | Izslēgt Atlikušais laiks |
| 646 |
| ns | |
T F | Nolieku laiks |
| 147 |
| ns | |
E ieslēgta | Slēgt Pārslēgšana zaudējumi |
| 30.8 |
| mJ | |
E Izslēgt | Izslēgtas zaudējumi |
| 53.8 |
| mJ | |
I SC |
SC dati | T p ≤ 10 μs,V ĢEN = 15 V, T j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V |
|
1440 |
|
A |
Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju | Parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Max. | Drošības un drošības politika |
V F | Diode uz priekšu Spriegums | I F =400A,V ĢEN =0V,T j =25 O C |
| 1.75 | 2.15 |
V |
I F =400A,V ĢEN =0V,T j = 125O C |
| 1.65 |
| |||
I F =400A,V ĢEN =0V,T j = 150O C |
| 1.65 |
| |||
Q r | Atgūstamā nodeva | V r = 600V,I F =400A, -di/dt=5000A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 O C |
| 40 |
| μC |
I RM | Augstais augstums atgūšanas strāvas |
| 299 |
| A | |
E Rec | Atgriezeniska atgūšana enerģija |
| 20.0 |
| mJ | |
Q r | Atgūstamā nodeva | V r = 600V,I F =400A, -di/dt=5000A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 125O C |
| 70 |
| μC |
I RM | Augstais augstums atgūšanas strāvas |
| 399 |
| A | |
E Rec | Atgriezeniska atgūšana enerģija |
| 38.4 |
| mJ | |
Q r | Atgūstamā nodeva | V r = 600V,I F =400A, -di/dt=5000A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150O C |
| 80 |
| μC |
I RM | Augstais augstums atgūšanas strāvas |
| 419 |
| A | |
E Rec | Atgriezeniska atgūšana enerģija |
| 43.9 |
| mJ |
modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju | Parametrs | Min. | Tips. | Max. | Drošības un drošības politika |
Garums CE | Neatklāta induktantība |
| 15 |
| nH |
r CC+EE | Modulā "Slēpuma pretestība" Nce, termināls uz čipu |
| 0.25 |
| mΩ |
r TJC | Savienojums ar lietu (par IGB) T) Savienojums ar korpusu (par Di) ode) |
|
| 0.080 0.095 | K/W |
r tCH | Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes) Izmērs: Modulis) |
| 0.037 0.044 0.010 |
| K/W |
m | terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | N.m. |
G | Svars of modulis |
| 300 |
| G |
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.