IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

620

400

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

800

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T =175 O C

2272

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

400

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

800

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.90

2.35

V

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 125O C

2.40

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.55

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 10.0mA,V CE =V ĢEN , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

100

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

1.9

Ω

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G = 0,38Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 O C

1496

ns

T r

Atkāpšanās laiks

200

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

1304

ns

T F

Nolieku laiks

816

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

27.6

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

20.8

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G = 0,38Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 125O C

1676

ns

T r

Atkāpšanās laiks

252

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

1532

ns

T F

Nolieku laiks

872

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

41.6

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

23.6

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G = 0,38Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 150O C

1676

ns

T r

Atkāpšanās laiks

260

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

1552

ns

T F

Nolieku laiks

888

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

46.0

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

24.0

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =400A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.90

2.35

V

I F =400A,V ĢEN =0V,T j = 125O C

1.90

I F =400A,V ĢEN =0V,T j = 150O C

1.90

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 O C

20.4

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

180

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

6.8

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 125O C

52.4

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

264

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

19.5

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150O C

60.8

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

284

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

22.6

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

15

nH

r CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu

0.25

mΩ

r TJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.066

0.093

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)

Izmērs: (atkārtojiet)

0.034

0.048

0.010

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars of modulis

300

G