IGBT modulis 1700V

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

396

225

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p = Diodes maksimālā uzpriekšējā

450

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C

1530

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1700

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

225

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

450

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =225A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.85

2.20

V

I C =225A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

2.25

I C =225A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.35

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =9.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

2.8

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

27.1

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.66

MHz

Q G

nF

V ĢEN =- 15...+15V

2.12

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =225A, r Gons =3,3Ω, r Goff =6.2Ω, V ĢEN =±15V,

T j =25 O C

187

ns

T r

Atkāpšanās laiks

76

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

587

ns

T F

Nolieku laiks

350

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

56.1

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

52.3

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =225A, r Gons =3,3Ω, r Goff =6.2Ω, V ĢEN =±15V,

T j = 125O C

200

ns

T r

Atkāpšanās laiks

85

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

693

ns

T F

Nolieku laiks

662

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

75.9

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

80.9

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =225A, r Gons =3,3Ω, r Goff =6.2Ω, V ĢEN =±15V,

T j = 150O C

208

ns

T r

Atkāpšanās laiks

90

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

704

ns

T F

Nolieku laiks

744

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

82.8

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

87.7

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

900

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =225A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F =225A,V ĢEN =0V,T j = 125O C

1.90

I F =225A,V ĢEN =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 O C

63.0

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

352

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

37.4

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V ĢEN =- 15V T j =125 O C

107

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

394

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

71.0

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150 O C

121

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

385

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

82.8

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

ΔR/R

Atkāpe of r 100

T C = 100 O C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu

1.10

mΩ

r TJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.098

0.158

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)

Izmērs: Modulis)

0.029

0.047

0.009

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m.

G

Svars of modulis

350

G