YT3000SW45,IGBT modulis,ar FWD, StakPak iepakojums,YT

Parametrs

Sīkāku informāciju

Apstākļi

Vērtību

Drošības un drošības politika

Kolektors ‐Izstarotājs Spriegums

V Tips

V ĢEN =0V, T vj =25 ° C

4500

V

DC Kolektors Pašreiz

I C

T C =100 ° C, T vj =125 ° C

3000

A

Pīķis Kolektors Pašreiz

I CM

t p =1 lūdzu

6000

A

Vārsts ‐Izstarotājs Spriegums

V =150 °C

± 20

V

Kopēja Jauda Zudums

P tot

T C =25 ° C, T vj =125 ° C

31200

Platums

DC Uz priekšu Pašreiz

I F

3000

A

Pīķis Uz priekšu Pašreiz

I Diodes uzpriekšējā strāva

t p =1 lūdzu

6000

A

Pārspriegums Pašreiz

I FSM

V R =0V, T vj =125 ° C,

t p =10 lūdzu ,puse ‐sineviļņi

21000

A

IGBT Īslaicīgs Īpašums SOA

t pSc

V CC = 3400V, V CEM CHIP ≤4500V V ĢEN ≤15V, T vj ≤125 ° C

10

μs

Maksimālā Savienojums Temperatūra

T vj (max )

125

°C

Savienojums Darbība Temperatūra

T vj (operācija )

‐40~125

°C

KĻŪDA temperatūra

T C

‐40~125

°C

Uzglabāšana Temperatūra

T sTG

‐40~70

°C

Montāža spēks

F M

90~130

kN

Parametrs

Sīkāku informāciju

Apstākļi

Vērtību

Drošības un drošības politika

Min .

Tips.

Max .

Uz priekšu spriegums

V F

I F =3000A

T vj =25 °C

2.60

V

T vj =125 °C

2.85

V

Atkārtots Atgūšanas strāvas

I r

IF=3000A, VR=2800V,

diF/dt=‐2500A/μs, VGE=15V,

RGon=1.5Ω,

LS=140nH,

Induktīvs slodze

T vj =25 °C

1690

A

T vj =125 °C

2750

A

Atkārtots Atgūstamās izmaksas

Q r

T vj =25 °C

3000

uC

T vj =125 °C

3950

uC

Atkārtots Atgūšanas laiks

t r

T vj =25 °C

1.80

mums

T vj =125 °C

2.20

mums

Atkārtots Atgūšana Enerģija Zaudējumi

E rec

T vj =25 °C

4000

mJ

T vj =125 °C

6300

mJ