IGBT modulis 4500V

Parametrs

Sīkāku informāciju

Apstākļi

vērtību

Drošības un drošības politika

Kolektors ‐Izstarotājs Spriegums

V Tips

V ĢEN =0V, T vj =25 ° C

4500

V

DC Kolektors Pašreiz

I C

T C =100 ° C, T vj =125 ° C

3000

A

Pīķis Kolektors Pašreiz

I CM

T p =1 Lūdzu

6000

A

Vārsts ‐Izstarotājs Spriegums

V =150 °C

± 20

V

Kopēja Jauda Zudums

p tot

T C =25 ° C, T vj =125 ° C

31200

Platums

DC Uz priekšu Pašreiz

I F

3000

A

Pīķis Uz priekšu Pašreiz

I Diodes uzpriekšējā strāva

T p =1 Lūdzu

6000

A

Pārspriegums Pašreiz

I FSM

V r =0V, T vj =125 ° C,

T p =10 Lūdzu ,puse ‐sineviļņi

21000

A

IGBT Īslaicīgs Īpašums SOA

T PSc

V CC = 3400V, V CEM CHIP ≤4500V V ĢEN ≤15V, T vj ≤125 ° C

10

μs

Maksimālā Savienojums Temperatūra

T vj (max )

125

°C

Savienojums Darbība Temperatūra

T vj (operācija )

‐40~125

°C

Gadījums Temperatūra

T C

‐40~125

°C

uzglabāšana Temperatūra

T STG

‐40~70

°C

Montāža spēks

F m

90~130

KN

Parametrs

Sīkāku informāciju

Apstākļi

vērtību

Drošības un drošības politika

min .

Tips.

max .

Uz priekšu spriegums

V F

I F =3000A

T vj =25 °C

2.60

V

T vj =125 °C

2.85

V

atkārtots atgūšanas strāvas

I R

IF=3000A, VR=2800V,

diF/dt=‐2500A/μs, VGE=15V,

RGon=1.5Ω,

LS=140nH,

Induktīvs slodze

T vj =25 °C

1690

A

T vj =125 °C

2750

A

atkārtots atgūstamās izmaksas

Q R

T vj =25 °C

3000

uC

T vj =125 °C

3950

uC

atkārtots Atgūšanas laiks

T R

T vj =25 °C

1.80

mums

T vj =125 °C

2.20

mums

atkārtots Atgūšana enerģija zaudējumi

E Rec

T vj =25 °C

4000

mJ

T vj =125 °C

6300

mJ