IDG75X12T2, IGBT diskretas, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =100 O C

150

75

A

I CM

Pulss Kolektors Pašreiz T p ierobežotas Ar T vjmax

225

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175 O C

852

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

75

A

I FM

Pulss Kolektors Pašreiz T p ierobežotas Ar T vjmax

225

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +175

O C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-55 līdz +150

O C

T s

Lūdes temperatūra 1,6 mm f rom lietu 10s

260

O C

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C =75A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C

1.75

2.20

V

I C =75A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C

2.10

I C =75A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 O C

2.20

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =3.00 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C

250

μA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C

100

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība

2.0

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V

6.58

MHz

C ejs

Izvades jauda

0.40

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.19

MHz

Q G

nF

V ĢEN =-15...+15V

0.49

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =75A, r G =4,7Ω,

V ĢEN =±15V, Ls=40nH,

T vj =25 O C

41

ns

T r

Atkāpšanās laiks

135

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

87

ns

T F

Nolieku laiks

255

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

12.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

3.6

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =75A, r G =4,7Ω,

V ĢEN =±15V, Ls=40nH,

T vj = 150 O C

46

ns

T r

Atkāpšanās laiks

140

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

164

ns

T F

Nolieku laiks

354

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

17.6

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

6.3

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =75A, r G =4,7Ω,

V ĢEN =±15V, Ls=40nH,

T vj =175 O C

46

ns

T r

Atkāpšanās laiks

140

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

167

ns

T F

Nolieku laiks

372

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

18.7

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

6.7

mJ

I SC

SC dati

T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =175 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

300

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F =75A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C

1.75

2.20

V

I F =75A,V ĢEN =0V,T vj =15 0O C

1.75

I F =75A,V ĢEN =0V,T vj =17 5O C

1.75

trr

Dioda atkārtots Atgūšanas laiks

V r = 600V,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V ĢEN =-15 V, Ls=40nH,

T vj =25 O C

267

ns

Q r

Atgūstamā nodeva

4.2

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

22

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

1.1

mJ

trr

Dioda atkārtots Atgūšanas laiks

V r = 600V,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V ĢEN =-15 V, Ls=40nH,

T vj = 150 O C

432

ns

Q r

Atgūstamā nodeva

9.80

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

33

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

2.7

mJ

trr

Dioda atkārtots Atgūšanas laiks

V r = 600V,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V ĢEN =-15 V, Ls=40nH,

T vj =175 O C

466

ns

Q r

Atgūstamā nodeva

11.2

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

35

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

3.1

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r TJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T) Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.176 0.371

K/W

r TJN

Savienojums ar vidi

40

K/W