H76ZYG,Mīkstās atgūšanas diods

I _T(AV)

2200A

V _RRM

4000V 4200V

4500V

Sīkāku informāciju

Iemesls

Testēšanas apstākļi

Tj( °C )

vērtību

Drošības un drošības politika

min

Tips

max

IF(AV)

Vidējais priekšējais strāva

180° pusviļņa 50Hz divpusēji dzesēts,

Tsink=55 °C

125

2200

A

IRRM

Atkārtota maksimuma strāva

pie VRRM

125

240

mA

IFSM

Pārsprieguma uz priekšu strāva

10ms pusviļņa VR=0.6VRRM

125

23

kA

I2t

I2t saplūšanas koordinācijai

2645

A2s* 103

VFO

Sīkāko spiedienu

125

1.65

V

rF

Priekšējā slīpuma pretestība

0.26

mΩ

VFM

Maksimālā priekšējā spriegums

@IFM=3000A,

F=40kN

25

2.80

V

@IFM=5000A

125

2.98

VFRM

Maksimālais priekšējais atgūšanas spriegums

di/dt= 1000A/μs

125

80

V

25

40

V

IRM

Atpakaļgaitas atjaunošanas strāva

IFM=2000A,tp=4000μs, -di/dt=60A/μs, VR=50V

125

400

A

trr

Atpakaļgaitas atjaunošanas laiks

8.0

μs

Qrr

atgūstamās izmaksas

2000

μC

Rth(j-c)

Siltuma pretestība no savienojuma līdz korpusam

Pie 1800 sinusa, divpusēji dzesēts Saspiešanas spēks 40kN

0.010

° /W

Rth(c-h)

Siltuma pretestība no korpusa uz siltuma izkliedētāju

0.003

FM

Montāžas spēks

35

47

KN

Tjop

Darbības temperatūras diapazons

-40

125

°C

TSTG

Uzglabāšanas temperatūra

-40

150

°C

Wt

Svars

1460

G

Kontūra

ZT73dT