H50ZYG,Mīkstās atgūšanas diods

I _T(AV)

700A

V _RRM

4000V 4200V

4500V

Sīkāku informāciju

Iemesls

Testēšanas apstākļi

Tj( °C )

vērtību

Drošības un drošības politika

min

Tips

max

IF(AV)

Vidējais priekšējais strāva

180° pusviļņa 50Hz divpusēji dzesēts

TC=70 °C

125

700

A

VRRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

tp=10ms

125

4000

4500

V

IRRM

Atkārtota maksimuma strāva

pie VRRM

125

100

mA

IFSM

Pārsprieguma uz priekšu strāva

10ms puse sinusa viļņa VR=0

125

16

kA

I2t

I2t saplūšanas koordinācijai

1280

10³A ²s

VFO

Sīkāko spiedienu

125

1.70

V

rF

Priekšējā slīpuma pretestība

0.98

mΩ

VFM

Maksimālā priekšējā spriegums

IFM=2000A, F=24kN

25

3.80

V

IRM

Atpakaļgaitas atjaunošanas strāva

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-60A/µs, VR=100V

125

610

A

trr

Atpakaļgaitas atjaunošanas laiks

7.0

μs

Qrr

atgūstamās izmaksas

1500

μC

Rth(j-c)

Siltuma pretestība no savienojuma līdz korpusam

Pie 180 ° sinuss, divpusēji dzesēts Saspiešanas spēks 24kN

0.020

°C /W

Rth(c-h)

Siltuma pretestība korpuss uz siltuma izkliedētāju

0.005

FM

Montāžas spēks

19

26

KN

TVj

Junkcijas temperatūra

-40

125

°C

TSTG

Uzglabāšanas temperatūra

-40

140

°C

Wt

Svars

440

G

Kontūra

ZT50cT