GD950HTX75P6HBT

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

750

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I CN

Izmantotais kolektors Cu īr

950

A

I C

Kolektors strāvas @ T F =110 O C

450

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1900

A

p D

Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =75 O C T j =175 O C

1162

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

750

V

I FN

Izmantotais kolektors Cu īr

950

A

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

450

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1900

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra nepārtraukta

Jo 10 sekundēm laikposmā 30s, notikums maksimāli 3000 reizes gar laiku

-40 līdz +150 +150 līdz +175

O C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.25

1.50

V

I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

1.35

I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =175 O C

1.40

I C =950A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.60

I C =950A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =175 O C

2.05

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =9.60 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.0

5.7

7.0

V

I C =9.60 mA ,V CE = V ĢEN , T j =175 O C

3.5

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība

0.7

Ω

C 125 °C

ies

V CE =50V,f=100kHz, V ĢEN =0V

42.1

MHz

C ejs

Izvades jauda

1.80

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

1.18

MHz

Q G

nF

V CE =400V, I C =450A, V ĢEN =-8...+15V

3.01

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A, r G =2,4Ω, Garums s =24 nH V ĢEN =-8V/+15V,

T j =25 O C

126

ns

T r

Atkāpšanās laiks

62

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

639

ns

T F

Nolieku laiks

149

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

17.3

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

25.4

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A, r G =2,4Ω, Garums s =24 nH V ĢEN =-8V/+15V,

T j = 150 O C

136

ns

T r

Atkāpšanās laiks

68

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

715

ns

T F

Nolieku laiks

221

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

22.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

31.0

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A, r G =2,4Ω, Garums s =24 nH V ĢEN =-8V/+15V,

T j =175 O C

138

ns

T r

Atkāpšanās laiks

68

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

739

ns

T F

Nolieku laiks

227

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

24.8

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

32.6

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 6 μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

5100

A

T j =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

T p ≤3μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j =175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F = 450A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.40

1.65

V

I F = 450A,V ĢEN =0V,T j =1 50O C

1.35

I F = 450A,V ĢEN =0V,T j =1 75O C

1.30

I F =950A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.75

I F =950A,V ĢEN =0V,T j =1 75O C

1.75

Q r

Atgūstamā nodeva

V r =400V, I F = 450A,

-di/dt=7070A/μs,V ĢEN =-8V Garums s =24 nH ,T j =25 O C

16.0

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

254

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

5.03

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r =400V, I F = 450A,

-di/dt=6150A/μs,V ĢEN =-8V Garums s =24 nH ,T j = 150 O C

36.0

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

320

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

9.49

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r =400V, I F = 450A,

-di/dt=6010A/μs,V ĢEN =-8V Garums s =24 nH ,T j =175 O C

40.5

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

338

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

10.5

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of r 100

T C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

8

nH

r CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu

0.75

mΩ

p

Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs

T Atbalsta plāksne <40 O C

T Atbalsta plāksne >40 O C

(relatīvā spiediena)

2.5 2.0

bars

r TJF

Savienojums -uz -dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojums uz dzesēšanas šķidrumu (saskaņā ar D jods) △ V/ △ t=10,0 DM 3/min ,T F =75 O C

0.075 0.118

0.086 0.136

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, Skrūve M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

G

Svars of modulis

750

G