1200V 900A
Īss ievads
IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1200V 900A.
Iespējas
Tipiska Lietojumi
Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 O C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
vērtību |
Drošības un drošības politika |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
I C |
Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C = 100O C |
1410 900 |
A |
I CM |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
1800 |
A |
p D |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T =175 O C |
5000 |
Platums |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
vērtību |
Drošības un drošības politika |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums |
1200 |
V |
I F |
Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde |
900 |
A |
I FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
1800 |
A |
modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
vērtību |
Drošības un drošības politika |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
O C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
O C |
T STG |
uzglabāšanas temperatūra Diapazons |
-40 līdz +125 |
O C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min |
4000 |
V |
IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Drošības un drošības politika |
V CE (sat) |
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums |
I C = 900A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C |
|
1.80 |
2.25 |
V |
I C = 900A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C |
|
2.10 |
|
|||
I C = 900A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C |
|
2.15 |
|
|||
V ĢEN (ts ) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
I C =22,5 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
I Tips |
Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz |
V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C |
|
|
5.0 |
mA |
I =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz |
V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C |
|
|
400 |
nA |
r Gint |
Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
|
0.6 |
|
Ω |
Q G |
nF |
V ĢEN =- 15V...+15V |
|
7.40 |
|
μC |
T D (ieslēgta ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C = 900A, r Gons = 1,5Ω,R Goff = 0,9Ω, V ĢEN =±15V,T j =25 O C |
|
257 |
|
ns |
T r |
Atkāpšanās laiks |
|
96 |
|
ns |
|
T D (Izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
628 |
|
ns |
|
T F |
Nolieku laiks |
|
103 |
|
ns |
|
E ieslēgta |
Slēgt Pārslēgšana zaudējumi |
|
43 |
|
mJ |
|
E Izslēgt |
Izslēgtas zaudējumi |
|
82 |
|
mJ |
|
T D (ieslēgta ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C = 900A, r Gons = 1,5Ω,R Goff = 0,9Ω, V ĢEN =±15V,T j = 125O C |
|
268 |
|
ns |
T r |
Atkāpšanās laiks |
|
107 |
|
ns |
|
T D (Izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
659 |
|
ns |
|
T F |
Nolieku laiks |
|
144 |
|
ns |
|
E ieslēgta |
Slēgt Pārslēgšana zaudējumi |
|
59 |
|
mJ |
|
E Izslēgt |
Izslēgtas zaudējumi |
|
118 |
|
mJ |
|
T D (ieslēgta ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C = 900A, r Gons = 1,5Ω,R Goff = 0,9Ω, V ĢEN =±15V,T j = 150O C |
|
278 |
|
ns |
T r |
Atkāpšanās laiks |
|
118 |
|
ns |
|
T D (Izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
680 |
|
ns |
|
T F |
Nolieku laiks |
|
155 |
|
ns |
|
E ieslēgta |
Slēgt Pārslēgšana zaudējumi |
|
64 |
|
mJ |
|
E Izslēgt |
Izslēgtas zaudējumi |
|
134 |
|
mJ |
|
I SC |
SC dati |
T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V |
|
3600 |
|
A |
Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Drošības un drošības politika |
V F |
Diode uz priekšu Spriegums |
I F = 900A,V ĢEN =0V,T j =25 O C |
|
1.71 |
2.16 |
V |
I F = 900A,V ĢEN =0V,T j = 125O C |
|
1.74 |
|
|||
I F = 900A,V ĢEN =0V,T j = 150O C |
|
1.75 |
|
|||
Q r |
Atgūstamā nodeva |
V r = 600V,I F = 900A, -di/dt=6000A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 O C |
|
76 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
|
513 |
|
A |
|
E Rec |
Atgriezeniska atgūšana enerģija |
|
38.0 |
|
mJ |
|
Q r |
Atgūstamā nodeva |
V r = 600V,I F = 900A, -di/dt=6000A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 125O C |
|
143 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
|
684 |
|
A |
|
E Rec |
Atgriezeniska atgūšana enerģija |
|
71.3 |
|
mJ |
|
Q r |
Atgūstamā nodeva |
V r = 600V,I F = 900A, -di/dt=6000A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150O C |
|
171 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
|
713 |
|
A |
|
E Rec |
Atgriezeniska atgūšana enerģija |
|
80.8 |
|
mJ |
modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Drošības un drošības politika |
Garums CE |
Neatklāta induktantība |
|
|
20 |
nH |
r CC+EE |
Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu |
|
0.18 |
|
mΩ |
r TJC |
Savienojums ar lietu (par IGB) T) Savienojums ar kārtu (par D) jods) |
|
|
0.030 0.052 |
K/W |
r tCH |
Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes) Izmērs: Modulis) |
|
0.016 0.027 0.010 |
|
K/W |
m |
terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.m. |
G |
Svars of modulis |
|
300 |
|
G |
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.