Visi kategorijas

IGBT modulis 1200V

IGBT modulis 1200V

sākumlapa /  Produkti /  IGBT modulis /  IGBT modulis 1200V

GD900SGF120A3SN,IGBT modulis,STARPOWER

1200V 1200A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD900SGF120A3SN
  • Ievads
  • Kontūra
Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 900A.

Iespējas

  • Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
  • VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Zema induktivitātes kārta
  • AlSiC pamatne augstas jaudas ciklu spējām
  • AlN substrāts zemas siltuma pretestības nodrošināšanai

Tipiskas lietošanas metodes

  • Inverteris motora vadībai
  • AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
  • Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =100 O C

1466

900

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1800

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175 O C

5.34

KW

Dioda

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

900

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1800

A

modulis

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

4000

V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C = 900A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C

2.00

2.45

V

I C = 900A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 O C

2.50

I C = 900A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C

2.65

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =32.0 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

1.44

Ω

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 900A, r Gons =1Ω, r Goff =2Ω, Ls=50nH,

V ĢEN =-10/+15V, T vj =25 O C

520

ns

T r

Atkāpšanās laiks

127

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

493

ns

T F

Nolieku laiks

72

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

76.0

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

85.0

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 900A, r Gons =1Ω, r Goff =2Ω, Ls=50nH,

V ĢEN =-10/+15V, T vj =125 O C

580

ns

T r

Atkāpšanās laiks

168

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

644

ns

T F

Nolieku laiks

89

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

127

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

98.5

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 900A, r Gons =1Ω, r Goff =2Ω, Ls=50nH,

V ĢEN =-10/+15V, T vj = 150 O C

629

ns

T r

Atkāpšanās laiks

176

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

676

ns

T F

Nolieku laiks

96

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

134

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

99.0

mJ

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F = 900A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C

1.95

2.40

V

I F = 900A,V ĢEN =0V,T vj =125 O C

2.00

I F = 900A,V ĢEN =0V,T vj = 150 O C

2.05

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F = 900A,

-di/dt=7100A/μs, Ls=50nH, V ĢEN =-10V,

T vj =25 O C

80

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

486

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

35.0

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F = 900A,

-di/dt=5180A/μs, Ls=50nH, V ĢEN =-10V,

T vj =125 O C

153

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

510

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

64.0

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F = 900A,

-di/dt=4990A/μs, Ls=50nH, V ĢEN =-10V,

T vj = 150 O C

158

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

513

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

74.0

mJ

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

12

nH

r CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu

0.19

r TJC

Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

28.1 44.1

K/kW

r tCH

Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: Modulis)

9.82 15.4 6.0

K/kW

m

terminala savienojuma griezes moments, Skrūve M4 terminala savienojuma griezes moments, Skrūve M8 Monta griezes moments, M6 skrūvis

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.m.

G

Svars of modulis

1050

G

Kontūra

Saņemiet bezmaksas kavu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

SAISTĪTS PRODUKTS

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Saņemt Kalkulāciju

Saņemiet bezmaksas kavu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000