GD800HFX120C6HA,IGBT Modulis,STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =100 O C

800

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1600

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C

5172

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

800

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1600

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C =800A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.95

2.40

V

I C =800A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

2.30

I C =800A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.40

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =24.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība

0.7

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

62.1

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

1.74

MHz

Q G

nF

V ĢEN =-15...+15V

4.66

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =800A, r G =1.0Ω, V ĢEN =±15V, Garums s =40 nH ,T j =25 O C

266

ns

T r

Atkāpšanās laiks

98

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

394

ns

T F

Nolieku laiks

201

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

108

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

73.8

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =800A, r G =1.0Ω, V ĢEN =±15V, Garums s =40 nH ,T j =125 O C

280

ns

T r

Atkāpšanās laiks

115

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

435

ns

T F

Nolieku laiks

275

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

153

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

91.3

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =800A, r G =1.0Ω, V ĢEN =±15V, Garums s =40 nH ,T j = 150 O C

282

ns

T r

Atkāpšanās laiks

117

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

446

ns

T F

Nolieku laiks

290

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

165

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

94.4

mJ

I SC

SC dati

T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F =800A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

2.00

2.45

V

I F =800A,V ĢEN =0V,T j =1 25O C

2.15

I F =800A,V ĢEN =0V,T j =1 50O C

2.20

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F =800A,

-di/dt=5800A/μs,V ĢEN =-15V, Garums s =40 nH ,T j =25 O C

48.1

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

264

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

18.0

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F =800A,

-di/dt=4800A/μs,V ĢEN =-15V, Garums s =40 nH ,T j =125 O C

95.3

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

291

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

35.3

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F =800A,

-di⁄dt=4550A⁄μs,V ĢEN =-15V, Garums s =40 nH ,T j = 150 O C

107

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

293

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

38.5

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of r 100

T C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r TJC

Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.029 0.050

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: Modulis)

0.028 0.049 0.009

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Svars of modulis

350

G