IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =100 O C

800

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1600

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175 O C

4687

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

900

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1800

A

I FSM

Pārsprieguma priekšējā strāva t p =10ms @ T vj =12 5O C @ T vj =175 O C

2392

2448

A

I 2T

I 2t- vērtību ,T p =10 Lūdzu @ T vj =125 O C @ T vj =175 O C

28608

29964

A 2s

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C =800A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C

1.40

1.85

V

I C =800A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 O C

1.60

I C =800A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 O C

1.60

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =24.0 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.5

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V

28.4

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.15

MHz

Q G

nF

V ĢEN =-15...+15V

2.05

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =800A, r G =0.5Ω, L s =40nH, V ĢEN =-8V/+15V,

T vj =25 O C

168

ns

T r

Atkāpšanās laiks

78

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

428

ns

T F

Nolieku laiks

123

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

43.4

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

77.0

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =800A,

r G =0.5Ω, L s =40nH,

V ĢEN =-8V/+15V,

T vj =125 O C

172

ns

T r

Atkāpšanās laiks

84

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

502

ns

T F

Nolieku laiks

206

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

86.3

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

99.1

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =800A,

r G =0.5Ω, L s =40nH,

V ĢEN =-8V/+15V,

T vj =175 O C

174

ns

T r

Atkāpšanās laiks

90

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

531

ns

T F

Nolieku laiks

257

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

99.8

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

105

mJ

I SC

SC dati

T p ≤8μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T vj = 150 O C,

V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

T p ≤ 6 μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =175 O C,

V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2500

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F = 900A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C

1.60

2.00

V

I F = 900A,V ĢEN =0V,T vj =125 O C

1.60

I F = 900A,V ĢEN =0V,T vj =175 O C

1.50

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =800A,

-di/dt=7778A/μs,V ĢEN =-8V, Garums s =40 nH ,T vj =25 O C

47.7

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

400

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

13.6

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =800A,

-di/dt=7017A/μs,V ĢEN =-8V, Garums s =40 nH ,T vj =125 O C

82.7

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

401

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

26.5

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =800A,

-di/dt=6380A/μs,V ĢEN =-8V, Garums s =40 nH ,T vj =175 O C

110

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

413

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

34.8

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of r 100

T C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K