GD800HFA120C2S_B20 , IGBT Modulis, STARPOWER

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 800A.

Iespējas

Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Inverteris motora vadībai
AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums Pārējo vārtu emitenta spriegums	±20 ±30	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C = 95 O C	1280 800	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	1600	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175 O C	3191	Platums

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1200	V
I F	Dioda nepārtrauktais priekšējais strāva ent	800	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	1600	A

modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
T vjmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	O C
T vjop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +175	O C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	O C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min	4000	V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =800A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C		1.30	1.75	V
		I C =800A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 O C		1.45
		I C =800A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C		1.50
		I C =800A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 O C		1.55
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =32.0 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C	5.5	6.1	7.0	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība			0.38		Ω
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V		156		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V		1.10		MHz
Q G	nF	V ĢEN =-8...+15V		10.3		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =800A, r G = 1,2Ω, V ĢEN =-8V/+15V, T vj =25 O C		338		ns
T r	Atkāpšanās laiks			174		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			1020		ns
T F	Nolieku laiks			100		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			65.2		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			88.8		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =800A, r G = 1,2Ω, V ĢEN =-8V/+15V, T vj =125 O C		398		ns
T r	Atkāpšanās laiks			203		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			1140		ns
T F	Nolieku laiks			183		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			96.6		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			109		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =800A, r G = 1,2Ω, V ĢEN =-8V/+15V, T vj = 150 O C		413		ns
T r	Atkāpšanās laiks			213		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			1140		ns
T F	Nolieku laiks			195		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			105		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			113		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =800A, r G = 1,2Ω, V ĢEN =-8V/+15V, T vj =175 O C		419		ns
T r	Atkāpšanās laiks			223		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			1142		ns
T F	Nolieku laiks			205		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			110		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			115		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi
I SC	SC dati	T p ≤8μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		3300		A
I SC	SC dati	T p ≤ 6 μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		3000		A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =800A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C		1.85	2.30	V
		I F =800A,V ĢEN =0V,T vj =125 O C		1.85
		I F =800A,V ĢEN =0V,T vj = 150 O C		1.85
		I F =800A,V ĢEN =0V,T vj =175 O C		1.85
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F =800A, -di/dt=5510A/μs,V ĢEN =-8V, T vj =25 O C		28.6		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			311		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			13.9		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F =800A, -di/dt=4990A/μs,V ĢEN =-8V, T vj =125 O C		56.8		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			378		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			23.7		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F =800A, -di/dt=4860A/μs,V ĢEN =-8V, T vj = 150 O C		66.3		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			395		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			26.7		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F =800A, -di/dt=4790A/μs,V ĢEN =-8V, T vj =175 O C		72.1		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			403		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			28.6		mJ

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība		20		nH
r CC+EE	Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu		0.42		mΩ
r TJC	Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar kārtu (par D) jods)			0.047 0.083	K/W
r tCH	Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)		0.031 0.055 0.010		K/W
m	terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
G	Svars of modulis		320		G