GD75PFX170C6SG, IGBT Modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =100 O C

139

75

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

150

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175 O C

559

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1700

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

75

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

150

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

2000

V

I O

Vidējā izvades strāva 5 0Hz/60Hz, sinusoida

75

A

I FSM

Pārsprieguma priekšējā strāva t p =10ms @ T vj = 25O C @ T vj = 150 O C

1440

1206

A

I 2T

I 2t-vērtība,t p =10ms @ T vj =25 O C @ T vj = 150 O C

10368

7272

A 2s

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra (inverteris) Maksimālā savienojuma temperatūra (pretējās straumes pārveidotājs)

175

150

O C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C =75A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C

1.85

2.20

V

I C =75A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 O C

2.25

I C =75A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C

2.35

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =3.0 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība

8.5

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

9.03

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.22

MHz

Q G

nF

V ĢEN =-15 ...+15V

0.71

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =75A, r G =6.8Ω,V ĢEN =±15V, Garums s =46 nH ,T vj =25 O C

236

ns

T r

Atkāpšanās laiks

42

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

356

ns

T F

Nolieku laiks

363

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

17.3

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

11.7

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =75A, r G =6.8Ω,V ĢEN =±15V, Garums s =46 nH ,T vj =125 O C

252

ns

T r

Atkāpšanās laiks

48

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

420

ns

T F

Nolieku laiks

485

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

27.1

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

16.6

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =75A, r G =6.8Ω,V ĢEN =±15V, Garums s =46 nH ,T vj = 150 O C

275

ns

T r

Atkāpšanās laiks

50

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

432

ns

T F

Nolieku laiks

524

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

27.9

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

17.7

mJ

I SC

SC dati

T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T vj = 150 O C ,V CC =1000V

,

V CEM ≤ 1700V

300

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F =75A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C

1.80

2.25

V

I F =75A,V ĢEN =0V,T vj =12 5O C

1.90

I F =75A,V ĢEN =0V,T vj =15 0O C

1.95

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V,I F =75A,

-di/dt=1290A/μs,V ĢEN =-15V Garums s =46 nH ,T vj =25 O C

10.3

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

84

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

7.44

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V,I F =75A,

-di/dt=1100A/μs,V ĢEN =- 15V Garums s =46 nH ,T vj =125 O C

20.5

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

87

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

16.1

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V,I F =75A,

-di/dt=1060A/μs,V ĢEN =-15V Garums s =46 nH ,T vj = 150 O C

22.5

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

97

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

19.2

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I C =75A, T vj = 150 O C

0.95

V

I r

Atpakaļgaitas strāva

T vj = 150 O C ,V r =2000V

3.0

mA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of r 100

T C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r TJC

Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT -Invertors ) Saistība starp savienojumu un korpusu (katram DĪODA-invertoru er) Savinieks-līdz sargkorpuss (katram diodam-retif ier)

0.268 0.481 0.289

K/W

r tCH

KĻŪDA -uz -Siltumapdalītājs (perIGBT -Invertors )Sargkorpuss-līdz šķērslim (katram diodam-i nverters) Sargkorpuss-līdz šķērslim (katram diodam-re ctifiers) Izmērs: Modulis)

0.106 0.190 0.114 0.009

K/W

m

Monta griezes moments, Šķirbju:M5

3.0

6.0

N.m.

G

Svars of modulis

300

G