GD75HFX170C1S, IGBT modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =100 O C

136

75

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

150

A

p D

Maksimālā Jauda Zudums @ T vj =175 O C

539

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1700

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

75

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

150

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C =75A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C

1.85

2.20

V

I C =75A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 O C

2.25

I C =75A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C

2.35

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =3.0 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība

8.5

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

9.03

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.22

MHz

Q G

nF

V ĢEN =-15 ...+15V

0.71

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =75A, r G =6.8Ω,V ĢEN =±15V, LS =60 nH ,T vj =25 O C

237

ns

T r

Atkāpšanās laiks

59

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

314

ns

T F

Nolieku laiks

361

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

25.0

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

9.5

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =75A, r G =6.8Ω,V ĢEN =±15V, LS =60 nH ,T vj =125 O C

254

ns

T r

Atkāpšanās laiks

70

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

383

ns

T F

Nolieku laiks

524

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

33.3

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

15.1

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =75A, r G =6.8Ω,V ĢEN =±15V, LS =60 nH ,T vj = 150 O C

257

ns

T r

Atkāpšanās laiks

75

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

396

ns

T F

Nolieku laiks

588

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

36.9

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

16.6

mJ

I SC

SC dati

T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T vj = 150 O C ,V CC =1000V

V CEM ≤ 1700V

300

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F =75A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C

1.80

2.25

V

I F =75A,V ĢEN =0V,T vj =12 5O C

1.90

I F =75A,V ĢEN =0V,T vj =15 0O C

1.95

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs,V ĢEN =-15V LS =60 nH ,T vj =25 O C

16.4

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

58

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

7.2

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V ĢEN =-15V LS =60 nH ,T vj =125 O C

30.8

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

64

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

15.8

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V ĢEN =-15V LS =60 nH ,T vj = 150 O C

31.4

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

64

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

18.2

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

30

nH

r CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu

0.65

mΩ

r TJC

Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.278 0.467

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)

0.160 0.268 0.050

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Svars of modulis

150

G