GD750HFA120C6S,IGBT Modulis,STARPOWER

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 800A.

Iespējas

Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 °C
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Hibrīda un elektriskā transportlīdzeklis
Inverteris motora vadībai
Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I C	Kolektora strāva @ T C =100 O C	750	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	1500	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175 O C	3125	Platums

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1200	V
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	900	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	1500	A
I FSM	Pārsprieguma priekšējā strāva t p =10ms @ T vj = 25O C @ T vj = 150 O C	3104 2472	A
I 2T	I 2t- vērtību ,T p =10 Lūdzu @ T vj =25 O C @ T vj = 150 O C	48174 30554	A 2s

modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
T vjmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	O C
T vjop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	O C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	O C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min	4000	V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =750A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C		1.35	1.85	V
		I C =750A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 O C		1.55
		I C =750A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 O C		1.55
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =24.0 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C	5.5	6.3	7.0	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība			0.5		Ω
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V		85.2		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V		0.45		MHz
Q G	nF	V ĢEN =-15...+15V		6.15		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =750A, r G =0.5Ω, V ĢEN =-8V/+15V, Garums s =40 nH ,T vj =25 O C		238		ns
T r	Atkāpšanās laiks			76		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			622		ns
T F	Nolieku laiks			74		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			68.0		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			52.8		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =750A, r G =0.5Ω, V ĢEN =-8V/+15V, Garums s =40 nH ,T vj =125 O C		266		ns
T r	Atkāpšanās laiks			89		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			685		ns
T F	Nolieku laiks			139		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			88.9		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			67.4		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =750A, r G =0.5Ω, V ĢEN =-8V/+15V, Garums s =40 nH ,T vj =175 O C		280		ns
T r	Atkāpšanās laiks			95		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			715		ns
T F	Nolieku laiks			166		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			102		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			72.7		mJ
I SC	SC dati	T p ≤8μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		2500		A
I SC	SC dati	T p ≤ 6 μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		2400		A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Vienības
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =750A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C		1.60	2.05	V
		I F =750A,V ĢEN =0V,T vj =125 O C		1.65
		I F =750A,V ĢEN =0V,T vj =175 O C		1.65
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F =750A, -di/dt=6500A/μs,V ĢEN =-8V, Garums s =40 nH ,T vj =25 O C		79.7		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			369		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			23.3		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F =750A, -di/dt=5600A/μs,V ĢEN =-8V, Garums s =40 nH ,T vj =125 O C		120		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			400		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			39.5		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F =750A, -di/dt=5200A/μs,V ĢEN =-8V, Garums s =40 nH ,T vj =175 O C		151		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			423		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			49.7		mJ

NTC raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
r 25	Nominālais pretestība			5.0		kΩ
∆R/R	Atkāpe of r 100	T C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
p 25	Jauda Zudums				20.0	mW
B 25/50	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība		20		nH
r CC+EE	Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu		0.80		mΩ
r TJC	Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar kārtu (par D) jods)			0.048 0.088	K/W
r tCH	KĻŪDA -uz -Siltumapdalītājs (perIGBT )Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes) Izmērs: Modulis)		0.028 0.051 0.009		K/W
m	terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis	3.0 3.0		6.0 6.0	N.m.
G	Svars of modulis		350		G