GD720HTA120P6HT, IGBT modulis, STARPOWER

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 720A.

Iespējas

Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
Zemas slēgšanas zudumi
4μs īsā ceļa spēja
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Isolētais kupfera pinfin pamatplāksnis, izmantojot Si3N4AMB tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Automobiļu lietojums
Hibrīda un elektriskā transportlīdzeklis
Inverteris motora vadībai

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I CN	Izmantotais kolektors Cu īr	720	A
I C	Kolektora strāva @ T F =65 O C	600	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	1440	A
p D	Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =75 O C T vj =175 O C	1204	Platums

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volta ĢEN	1200	V
I FN	Izmantotais kolektors Cu īr	720	A
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	600	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	1440	A

modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
T vjmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	O C
T vjop	Darbības savienojuma temperatūra nepārtraukta Par 10s laikposmā 30 gadu vecumā, gadījums maksimāli 3000 reizes uz ilgāku laiku Es	-40 līdz +150 +150 līdz +175	O C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	O C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min	3000	V

IGBT raksturlielumi T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C = 600A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C		1.50		V
		I C = 600A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C		1.80
		I C = 600A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 O C		1.85
		I C =720A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C		1.60
		I C =720A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 O C		2.05
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C = 15,6 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C		6.0		V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība			1.67		Ω
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V		48.7		MHz
C ejs	Izvades jauda			1.55		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda			0.26		MHz
Q G	nF	V CE =800V,I C =600A, V ĢEN =-8...+15V		3.52		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC =800V,I C = 600A, r Gons =3.0Ω, r Goff =1,0Ω, Garums s =24nH, V ĢEN =-8V/+15V, T vj =25 O C		208		ns
T r	Atkāpšanās laiks			65		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			505		ns
T F	Nolieku laiks			104		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			77.7		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			62.2		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC =800V,I C = 600A, r Gons =3.0Ω, r Goff =1,0Ω, Garums s =24nH, V ĢEN =-8V/+15V, T vj = 150 O C		225		ns
T r	Atkāpšanās laiks			75		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			567		ns
T F	Nolieku laiks			191		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			110		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			83.4		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC =800V,I C = 600A, r Gons =3.0Ω, r Goff =1,0Ω, Garums s =24nH, V ĢEN =-8V/+15V, T vj =175 O C		226		ns
T r	Atkāpšanās laiks			77		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			583		ns
T F	Nolieku laiks			203		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			118		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			85.9		mJ
I SC	SC dati	T p ≤4μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		2600		A

Dioda raksturlielumi T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F = 600A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C		1.95		V
		I F = 600A,V ĢEN =0V,T vj = 150 O C		1.95
		I F = 600A,V ĢEN =0V,T vj =175 O C		1.90
		I F =720A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C		2.05
		I F =720A,V ĢEN =0V,T vj =175 O C		2.05
Q r	Atgūstamā nodeva	V r =800V,I F = 600A, -di\/dt=8281A\/μs, L s =24n H, V ĢEN =-8V, T vj =25 O C		44.3		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			346		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			16.2		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r =800V,I F = 600A, -di/dt=6954A/μs, L s =24n H, V ĢEN =-8V, T vj = 150 O C		73.4		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			385		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			27.8		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r =800V,I F = 600A, -di/dt=6679A/μs, L s =24n H, V ĢEN =-8V, T vj =175 O C		80.7		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			392		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			30.7		mJ

NTC raksturlielumi T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
r 25	Nominālais pretestība			5.0		kΩ
∆R/R	Atkāpe of r 100	T C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
p 25	Jauda Zudums				20.0	mW
B 25/50	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

modulis raksturlielumi T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība		8		nH
r CC+EE	Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu		0.75		mΩ
p	Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs T Atbalsta plāksne <40 O C T Atbalsta plāksne >40 O C (relatīvā spiediena)			2.5 2.0	bars
r TJF	Savienojums -uz -dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojuma-dzesēšanas šķidrums (par Di) ode) △ V/ △ t=10,0 DM 3/min ,T F =75 O C		0.072 0.104	0.083 0.120	K/W
m	terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, Skrūve M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.m.
G	Svars of modulis		750		G