IGBT modulis 1700V

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektors Pašreiz @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

1069

600

A

I CM

Pulss Kolektors Pašreiz T p =1 Lūdzu

1200

A

p D

Maksimālā Jauda Zudums @ T j =175 O C

4166

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1700

V

I F

Dioda nepārtraukta tālvadība

600

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1200

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra uzvedība

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 uz +150

O C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 uz +125

O C

V ISO

Izolācija Spriegums RMS ,f=50 Hz ,t=1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (= 40 )

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 600A, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.85

2.20

V

I C = 600A, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

2.25

I C = 600A, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.35

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 12.0mA ,V CE = V ĢEN ,T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I Tips

Slēgtā daļa

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V,

T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība

1.1

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1 = 25V, ,

V ĢEN =0V

72.3

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.75

MHz

Q G

nF

V ĢEN =- 15...+15V

5.66

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V, I C = 600A, r G = 1.0Ω, V ĢEN =±15V, T j =25 O C

160

ns

T r

Atkāpšanās laiks

67

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

527

ns

T F

Nolieku laiks

138

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

154

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

132

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V, I C = 600A, r G = 1.0Ω, V ĢEN =±15V, T j = 125O C

168

ns

T r

Atkāpšanās laiks

80

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

585

ns

T F

Nolieku laiks

168

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

236

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

189

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V, I C = 600A, r G = 1.0Ω, V ĢEN =±15V, T j = 150O C

192

ns

T r

Atkāpšanās laiks

80

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

624

ns

T F

Nolieku laiks

198

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

259

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

195

mJ

I SC

SC dati

T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C ,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

2400

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F = 600A, V ĢEN =0V, T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F = 600A, V ĢEN =0V, T j = 125O C

1.90

I F = 600A, V ĢEN =0V, T j = 150O C

1.95

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V, I F = 600A,

-di /dt =6700A/μs, V ĢEN =- 15V T j =25 O C

153

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

592

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

76.5

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V, I F = 600A,

-di /dt =6700A/μs, V ĢEN =- 15V T j =125 O C

275

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

673

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

150

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V, I F = 600A,

-di /dt =6700A/μs, V ĢEN =- 15V T j = 150 O C

299

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

690

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

173

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

ΔR/R

Atkāpe of r 100

T C = 100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B- vērtību

r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B- vērtību

r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B- vērtību

r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC + EE ’

Modulā Rūgtumvirziens, termināls uz Čipu

1.10

mΩ

r TJC

Savienojums -uz -Gadījums (par IGBT )

Savienojums -uz -Gadījums (par Dioda )

0.036

0.073

K/W

r tCH

Gadījums -uz -Siltumapdalītājs (par IGBT )

Gadījums -uz -Siltumapdalītājs (par Dioda )

Izmantošana

0.027

0.055

0.009

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, Šķirp M6 Montāža Nomākšanas , Šķirp m 5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m.

G

Masas modulis

350

G