GD600HFX120C2SAD_B20, IGBT modulis, STARPOWER

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 600A.

Iespējas

Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Atdalīts meda pamats, izmantojot HPS DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Inverteris motora vadībai
AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums Pārējo vārtu emitenta spriegums	±20 ±30	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =100 O C	1096 600	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	1200	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175 O C	3947	Platums

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1200	V
I F	Dioda nepārtrauktais priekšējais strāva ent	600	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	1200	A

modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
T vjmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	O C
T vjop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	O C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	O C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min	4000	V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C = 600A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C		1.70	2.15	V
		I C = 600A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 O C		2.05
		I C = 600A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C		2.15
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =24.0 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība			1.25		Ω
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V		64.7		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V		1.88		MHz
Q G	nF	V ĢEN =-15...+15V		5.38		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 600A, r G =1,5Ω, Garums s =50 nH , V ĢEN =±15V,T vj =25 O C		314		ns
T r	Atkāpšanās laiks			105		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			527		ns
T F	Nolieku laiks			151		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			63.7		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			53.3		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 600A, r G =1,5Ω, Garums s =50 nH , V ĢEN =±15V,T vj =125 O C		350		ns
T r	Atkāpšanās laiks			117		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			591		ns
T F	Nolieku laiks			315		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			96.5		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			72.2		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 600A, r G =1,5Ω, Garums s =50 nH , V ĢEN =±15V,T vj = 150 O C		359		ns
T r	Atkāpšanās laiks			120		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			604		ns
T F	Nolieku laiks			328		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			105		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			75.6		mJ
I SC	SC dati	T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		2400		A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F = 600A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C		1.65	2.10	V
		I F = 600A,V ĢEN =0V,T vj =125 O C		1.65
		I F = 600A,V ĢEN =0V,T vj = 150 O C		1.60
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F = 600A, -di/dt=5130A/μs, L s =50nH, V ĢEN =-15V,T vj =25 O C		38.6		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			313		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			10.8		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F = 600A, -di/dt=4440A/μs, L s =50nH, V ĢEN =-15V,T vj =125 O C		76.1		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			368		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			22.5		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F = 600A, -di/dt=4240A/μs, L s =50nH, V ĢEN =-15V,T vj = 150 O C		88.9		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			387		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			26.2		mJ

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība		20		nH
r CC+EE	Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu		0.42		mΩ
r TJC	Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar kārtu (par D) jods)			0.038 0.068	K/W
r tCH	Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)		0.031 0.056 0.010		K/W
m	terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
G	Svars of modulis		320		G