IGBT modulis 1700V

GD50PIX170C6SA, IGBT modulis, STARPOWER

1700V 50A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD50PIX170C6SA

Ievads
Kontūra
Ekvivalentā shēma

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1700V 50A.

Iespējas

Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 °C
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Inverteris motora vadībai
AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT-invertors

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1700	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =100 O C	100 50	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	100	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C	384	Platums

Diodē-invertors

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1700	V
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	50	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	100	A

Dioda-pretējās straumes pārveidotājs

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1600	V
I O	Vidējā izvades strāva 5 0Hz/60Hz, sinusoida	50	A
I FSM	Pārvirzienu strāva V r =0V,T p =10ms,T j =45 O C	850	A
I 2T	I 2t-vērtība,V r =0V,T p =10m s,T j =45 O C	3610	A 2s

IGBT-brake

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1700	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =100 O C	100 50	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	100	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C	384	Platums

Dioda -Bremze

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1700	V
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	50	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	100	A

modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
T jmax	Maksimālā savienojuma temperatūra (inverters, breikis) Maksimālā savienojuma temperatūra (pretējās straumes pārveidotājs)	175 150	O C
T žop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	O C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	O C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min	4000	V

IGBT -Invertors raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =50A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C		1.85	2.20	V
		I C =50A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C		2.25
		I C =50A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C		2.35
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =2.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C			5.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārsta pretestība Pretestība			9.5		Ω
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		6.02		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		0.15		MHz
Q G	nF	V ĢEN =-15 ...+15V		0.47		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 O C		163		ns
T r	Atkāpšanās laiks			44		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			290		ns
T F	Nolieku laiks			347		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			12.7		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			7.28		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V ĢEN =±15V, T j =125 O C		186		ns
T r	Atkāpšanās laiks			51		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			361		ns
T F	Nolieku laiks			535		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			17.9		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			11.1		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V ĢEN =±15V, T j = 150 O C		192		ns
T r	Atkāpšanās laiks			52		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			374		ns
T F	Nolieku laiks			566		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			20.0		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			12.0		mJ
I SC	SC dati	T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V		200		A

Dioda -Invertors raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =50A,V ĢEN =0V,T j =25 O C		1.80	2.25	V
		I F =50A,V ĢEN =0V,T j =125 O C		1.95
		I F =50A,V ĢEN =0V,T j = 150 O C		1.90
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V ĢEN =-15V T j =25 O C		11.8		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			48		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			6.08		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V ĢEN =-15V T j =125 O C		20.7		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			52		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			11.4		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V ĢEN =-15V T j = 150 O C		23.7		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			54		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			13.1		mJ

Dioda -taisngrieža raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =50A, V ĢEN =0V, T j = 150 O C		1.14		V
I r	Atpakaļgaitas strāva	T j = 150 O C,V r =1600V			3.0	mA

IGBT -Bremze raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =50A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C		1.85	2.20	V
		I C =50A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C		2.25
		I C =50A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C		2.35
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =2.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C			5.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība			9.5		Ω
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		6.02		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		0.15		MHz
Q G	nF	V ĢEN =-15 ...+15V		0.47		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 O C		163		ns
T r	Atkāpšanās laiks			44		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			290		ns
T F	Nolieku laiks			347		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			12.7		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			7.28		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V ĢEN =±15V, T j =125 O C		186		ns
T r	Atkāpšanās laiks			51		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			361		ns
T F	Nolieku laiks			535		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			17.9		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			11.1		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V ĢEN =±15V, T j = 150 O C		192		ns
T r	Atkāpšanās laiks			52		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			374		ns
T F	Nolieku laiks			566		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			20.0		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			12.0		mJ
I SC	SC dati	T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V		200		A

Dioda -Bremze raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =50A,V ĢEN =0V,T j =25 O C		1.80	2.25	V
		I F =50A,V ĢEN =0V,T j =125 O C		1.95
		I F =50A,V ĢEN =0V,T j = 150 O C		1.90
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V ĢEN =-15V T j =25 O C		11.8		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			48		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			6.08		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V ĢEN =-15V T j =125 O C		20.7		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			52		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			11.4		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V ĢEN =-15V T j = 150 O C		23.7		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			54		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			13.1		mJ

NTC raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
r 25	Nominālais pretestība			5.0		kΩ
∆R/R	Atkāpe of r 100	T C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
p 25	Jauda Zudums				20.0	mW
B 25/50	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība		60		nH
r CC+EE r AA + CC ’	Modulā "Slēpuma pretestība" nce, Kontakti līdz čipam		4.00 2.00		mΩ
r TJC	Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT -Invertors ) Saistība starp savienojumu un korpusu (katram DĪODA-invertoru er) Savinieks-līdz sargkorpuss (katram diodam-retif ier) Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT -Bremze ) Savinājums līdz korpusam (par Diodu-br ake)			0.390 0.554 0.565 0.390 0.554	K/W
r tCH	KĻŪDA -uz -Siltumapdalītājs (perIGBT -Invertors )Sargkorpuss-līdz šķērslim (katram diodam-i nverters) Sargkorpuss-līdz šķērslim (katram diodam-re ctifiers) KĻŪDA -uz -Siltumapdalītājs (perIGBT -Bremze ) Korpusam līdz dzesētājam (par Dio de-brake) Izmērs: Modulis)		0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009		K/W
m	Monta griezes moments, Šķirbju:M5	3.0		6.0	N.m.
G	Svars of modulis		300		G