GD400HTX120P6HT, IGBT modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I CN

Izmantotais kolektors Cu īr

400

A

I C

Kolektora strāva @ T F =125 O C

250

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

800

A

p D

Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =75 O C T j =175 O C

1075

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volta ĢEN

1200

V

I FN

Izmantotais kolektors Cu īr

400

A

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

250

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

800

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra nepārtraukta

Par 10s laikposmā 30 gadu vecumā, gadījums maksimāli 3000 reizes uz ilgāku laiku Es

-40 līdz +150 +150 līdz +175

O C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

D Kāpšana

Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu

9.0 9.0

mm

D Skaidrs

Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu

4.5 4.5

mm

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C =250A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.45

1.80

V

I C =250A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

1.65

I C =250A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

1.70

I C =380A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.70

I C =380A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.15

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =9.75 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība

2.4

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V

33.6

MHz

C ejs

Izvades jauda

1.43

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.82

MHz

Q G

nF

V CE = 600V,I C =250A, V ĢEN =-8...+15V

1.98

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 250A, r G = 2,2Ω, Garums s =24 nH ,V ĢEN =-8V/+15V,

T j =25 O C

231

ns

T r

Atkāpšanās laiks

50

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

545

ns

T F

Nolieku laiks

172

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

19.6

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

23.2

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 250A, r G = 2,2Ω, Garums s =24 nH ,V ĢEN =-8V/+15V,

T j =125 O C

241

ns

T r

Atkāpšanās laiks

57

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

619

ns

T F

Nolieku laiks

247

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

26.6

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

28.7

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 250A, r G = 2,2Ω, Garums s =24 nH ,V ĢEN =-8V/+15V,

T j = 150 O C

245

ns

T r

Atkāpšanās laiks

57

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

641

ns

T F

Nolieku laiks

269

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

30.1

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

30.9

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 6 μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F =250A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.50

1.90

V

I F =250A,V ĢEN =0V,T j =1 25O C

1.45

I F =250A,V ĢEN =0V,T j =1 50O C

1.40

I F =380A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.65

I F =380A,V ĢEN =0V,T j =1 50O C

1.60

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F = 250A,

-di/dt=4860A/μs,V ĢEN =-8V Garums s =24 nH ,T j =25 O C

9.10

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

160

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

4.39

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F = 250A,

-di/dt=4300A/μs,V ĢEN =-8V Garums s =24 nH ,T j =125 O C

21.4

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

192

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

8.43

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F = 250A,

-di/dt=4120A/μs,V ĢEN =-8V Garums s =24 nH ,T j = 150 O C

25.7

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

203

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

9.97

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of r 100

T C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

8

nH

r CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu

0.75

mΩ

△ p

△ V/ △ t=10,0 DM 3/min ,T F =75 O C

64

bar

p

Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs

2.5

bars

r TJF

Savienojums -uz -dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojums uz dzesēšanas šķidrumu (saskaņā ar D jods) △ V/ △ t=10,0 DM 3/min ,T F =75 O C

0.081 0.118

0.093 0.136

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, Skrūve M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

G

Svars of modulis

750

G