GD400CLX120C2S,IGBT Modulis,STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =100 O C

636

400

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

800

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175 O C

2083

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

400

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

800

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C

1.75

2.20

V

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 O C

2.00

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C

2.05

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =14.4 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.5

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

37.3

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

1.04

MHz

Q G

nF

V ĢEN =-15 ...+15V

2.80

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G =2.0Ω, L s =50nH , V ĢEN =±15V, T vj =25 O C

223

ns

T r

Atkāpšanās laiks

49

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

334

ns

T F

Nolieku laiks

190

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

17.9

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

28.7

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G =2.0Ω, L s =50nH , V ĢEN =±15V, T vj =125 O C

230

ns

T r

Atkāpšanās laiks

54

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

385

ns

T F

Nolieku laiks

300

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

29.4

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

41.2

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G =2.0Ω, L s =50nH , V ĢEN =±15V, T vj = 150 O C

228

ns

T r

Atkāpšanās laiks

57

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

393

ns

T F

Nolieku laiks

315

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

32.3

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

42.9

mJ

I SC

SC dati

T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F =400A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =400A,V ĢEN =0V,T vj =125 O C

1.90

I F =400A,V ĢEN =0V,T vj = 150 O C

1.95

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =400A,

-di/dt=8030A/μs, L s =50nH, V ĢEN =-15V, T vj =25 O C

33.6

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

374

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

13.6

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =400A,

-di/dt=7030A/μs, L s =50nH, V ĢEN =-15V, T vj =125 O C

67.5

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

446

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

28.2

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =400A,

-di/dt=6880A/μs, L s =50nH, V ĢEN =-15V, T vj = 150 O C

75.5

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

452

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

31.4

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.35

mΩ

r TJC

Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.072 0.113

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)

0.023 0.036 0.010

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Svars of modulis

300

G