GD400CLU120C2SD, IGBT modulis, STARPOWER

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 400A.

Iespējas

NPT IGBT tehnoloģija
10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
Zemas slēgšanas zudumi
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Slēgšanas režīma barošanas avots
Induktīvā sildīšana
elektriskās sārgmašīnas

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =60 O C	519 400	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	800	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj = 150 O C	2450	Platums

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1200	V
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	400	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	800	A

modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
T vjmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	150	O C
T vjop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +125	O C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	O C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min	2500	V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C		2.90	3.35	V
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 O C		3.60		V
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C = 16,0 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C	4.5	5.5	6.5	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C			5.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība - - - -			0.6		Ω
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		26.0		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		1.70		MHz
Q G	nF	V ĢEN =-15...+15V		4.2		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =400A, r G = 2,2Ω, Garums s =30 nH , V ĢEN =±15V,T vj =25 O C		252		ns
T r	Atkāpšanās laiks			63		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			427		ns
T F	Nolieku laiks			44		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			24.7		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			16.5		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =400A, r G = 2,2Ω, Garums s =30 nH , V ĢEN =±15V,T vj =125 O C		258		ns
T r	Atkāpšanās laiks			65		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			465		ns
T F	Nolieku laiks			57		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			35.2		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			22.6		mJ
I SC	SC dati	T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		1600		A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =400A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C		1.85	2.30	V
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =400A,V ĢEN =0V,T vj =125 O C		1.90		V
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F =400A, -di/dt=6540A/μs, L s =30nH, V ĢEN =-15V, T vj =25 O C		38.9		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			401		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			13.8		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F =400A, -di/dt=6300A/μs, L s =30nH, V ĢEN =-15V, T vj =125 O C		68.0		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			444		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			26.2		mJ

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība			30	nH
r CC+EE	Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu		0.35		mΩ
r TJC	Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode)			0.051 0.114	K/W
r tCH	Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)		0.019 0.042 0.010		K/W
m	terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
G	Svars of modulis		300		G