GD300MPX120C6SA,IGBT Modulis,STARPOWER

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 300A.

Iespējas

NPT IGBT tehnoloģija
10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
Zemas slēgšanas zudumi
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Saulrasēja enerģija
UPS
3-līmeņu lietojumi

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT-invertors

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =100 O C	468 300	A
I CRM	Atkārtošanās Pīķis Kolektors Pašreiz tp ierobežotas Ar T vjop	600	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175 O C	1530	Platums

Diodē-invertors

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1200	V
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	300	A
I Diodes uzpriekšējā strāva	Atkārtošanās Pīķis Uz priekšu Pašreiz tp ierobežotas Ar T vjop	600	A

Diods-3-līmeņu

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1200	V
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	300	A
I Diodes uzpriekšējā strāva	Atkārtošanās Pīķis Uz priekšu Pašreiz tp ierobežotas Ar T vjop	600	A

modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
T vjmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	O C
T vjop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	O C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	O C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min	2500	V

IGBT -Invertors raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C		1.70	2.15	V
		I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 O C		1.95
		I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C		2.00
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =12.0 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība - - - -			2.5		Ω
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		31.1		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		0.87		MHz
Q G	nF	V ĢEN =-15 ...+15V		2.33		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 300A, r G =2.4Ω,Ls=35nH, V ĢEN =±15V,T vj =25 O C		215		ns
T r	Atkāpšanās laiks			53		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			334		ns
T F	Nolieku laiks			205		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			21.5		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			20.7		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 300A, r G =2.4Ω,Ls=35nH, V ĢEN =±15V,T vj =125 O C		231		ns
T r	Atkāpšanās laiks			59		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			361		ns
T F	Nolieku laiks			296		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			30.1		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			28.1		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 300A, r G =2.4Ω,Ls=35nH, V ĢEN =±15V,T vj = 150 O C		240		ns
T r	Atkāpšanās laiks			62		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			376		ns
T F	Nolieku laiks			311		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			32.9		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			29.9		mJ
I SC	SC dati	T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		1200		A

Dioda -Invertors raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Vienības
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C		1.85	2.30	V
		I F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =125 O C		1.90
		I F = 300A,V ĢEN =0V,T vj = 150 O C		1.95
Q r	Atgūstamā nodeva	V CC = 600V,I F = 300A, -di/dt=2937A/μs, Ls=70nH, V ĢEN =-15V,T vj =25 O C		36.3		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			235		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			15.7		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V CC = 600V,I F = 300A, -di/dt=2720A/μs, Ls=70nH, V ĢEN =-15V,T vj =125 O C		61.3		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			257		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			27.5		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V CC = 600V,I F = 300A, -di/dt=2616A/μs, Ls=70nH, V ĢEN =-15V,T vj = 150 O C		68.8		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			262		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			30.8		mJ

Dioda -3- līmenis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Vienības
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C		1.85	2.30	V
		I F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =125 O C		1.90
		I F = 300A,V ĢEN =0V,T vj = 150 O C		1.95
Q r	Atgūstamā nodeva	V CC = 600V,I F = 300A, -di/dt=5683A/μs,Ls=35nH, V ĢEN =-15V,T vj =25 O C		36.2		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			290		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			13.4		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V CC = 600V,I F = 300A, -di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V ĢEN =-15V,T vj =125 O C		56.6		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			301		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			22.2		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V CC = 600V,I F = 300A, -di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V ĢEN =-15V,T vj = 150 O C		65.9		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			306		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			26.3		mJ

NTC raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
r 25	Nominālais pretestība			5.0		kΩ
∆R/R	Atkāpe of r 100	T C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
p 25	Jauda Zudums				20.0	mW
B 25/50	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība		35		nH
r CC+EE	Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu		1.45		mΩ
r TJC	Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT -Invertors ) Savinieks-līdz-korpusei (katram diodam-invertētājs ) Savinieks-līdz-korpusei (katram diodam-3-līmeņu )			0.098 0.176 0.176	K/W
r tCH	Korpus-līdz-dūrēm (katram IGBT-invertētājs ) Korpus-līdz-dūrēm (katram diodam-i nverters) Korpus-līdz-dūrēm (katram diodam-3- līmenis) Izmērs: Modulis)		0.033 0.059 0.059 0.009		K/W
m	terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis	3.0 3.0		6.0 6.0	N.m.
G	Svars of modulis		350		G