GD300HFX170C6SA, IGBT Modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =100 O C

493

300

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

600

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C

1829

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1700

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

300

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

600

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.85

2.20

V

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

2.25

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.35

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =12.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

2.5

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

36.1

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.88

MHz

Q G

nF

V ĢEN =-15 ...+15V

2.83

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C = 300A,

r Gons =3,3Ω, r Goff =4,7Ω, Garums s =66nH,V ĢEN =±15V, T j =25 O C

265

ns

T r

Atkāpšanās laiks

94

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

565

ns

T F

Nolieku laiks

326

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

77.6

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

52.8

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C = 300A,

r Gons =3,3Ω, r Goff =4,7Ω, Garums s =66nH,V ĢEN =±15V, T j =125 O C

302

ns

T r

Atkāpšanās laiks

104

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

631

ns

T F

Nolieku laiks

521

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

108

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

72.8

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C = 300A,

r Gons =3,3Ω, r Goff =4,7Ω, Garums s =66nH,V ĢEN =±15V, T j = 150 O C

313

ns

T r

Atkāpšanās laiks

108

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

645

ns

T F

Nolieku laiks

545

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

119

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

78.4

mJ

I SC

SC dati

T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C ,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =1 25O C

1.95

I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =1 50O C

1.90

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2650A/μs,V ĢEN =-15V Garums s =66 nH ,T j =25 O C

56.3

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

228

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

38.4

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2300A/μs,V ĢEN =-15V Garums s =66 nH ,T j =125 O C

89.6

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

262

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

60.2

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2250A/μs,V ĢEN =-15V Garums s =66 nH ,T j = 150 O C

102

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

272

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

69.6

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of r 100

T C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu

1.10

mΩ

r TJC

Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.082 0.121

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)

0.030 0.045 0.009

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Svars of modulis

350

G