IGBT modulis 1700V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

493

300

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

600

A

p D

Maksimālais enerģijas izmešana T =175 O C

1829

Platums

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.85

2.20

V

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

2.25

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.35

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 12,0 mA,V CE =V ĢEN , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

2.5

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

36.1

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.88

MHz

Q G

nF

V ĢEN =- 15...+15V

2.83

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C = 300A, r G =2,4Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 O C

204

ns

T r

Atkāpšanās laiks

48

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

595

ns

T F

Nolieku laiks

100

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

69.3

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

63.3

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C = 300A, r G =2,4Ω

V ĢEN =±15V, T j = 125O C

224

ns

T r

Atkāpšanās laiks

55

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

611

ns

T F

Nolieku laiks

159

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

96.8

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

99.0

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C = 300A, r G =2,4Ω

V ĢEN =±15V, T j = 150O C

240

ns

T r

Atkāpšanās laiks

55

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

624

ns

T F

Nolieku laiks

180

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

107

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

105

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F = 300A,V ĢEN =0V,T j = 125O C

1.90

I F = 300A,V ĢEN =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 O C

55

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

297

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

32.2

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =125 O C

116

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

357

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

68.2

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150 O C

396

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

120

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

81.6

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modulā "Slēpuma pretestība" Nce, termināls uz čipu

0.35

mΩ

r TJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.082

0.129

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)

Izmērs: Modulis)

0.033

0.051

0.010

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars of modulis

300

G