GD300HFX170C2SA, IGBT Modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =100 O C

493

300

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

600

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175 O C

1829

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1700

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

300

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

600

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C

1.85

2.30

V

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 O C

2.25

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C

2.35

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =12.0 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

2.5

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

36.1

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.88

MHz

Q G

nF

V ĢEN =-15 ...+15V

2.83

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C = 300A, r G =2.4Ω, Ls=42nH, V ĢEN =±15V,

T vj =25 O C

355

ns

T r

Atkāpšanās laiks

71

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

473

ns

T F

Nolieku laiks

337

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

89.3

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

46.3

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C = 300A, r G =2.4Ω, Ls=42nH, V ĢEN =±15V,

T vj =125 O C

383

ns

T r

Atkāpšanās laiks

83

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

549

ns

T F

Nolieku laiks

530

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

126

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

68.5

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C = 300A, r G =2.4Ω, Ls=42nH, V ĢEN =±15V,

T vj = 150 O C

389

ns

T r

Atkāpšanās laiks

88

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

575

ns

T F

Nolieku laiks

585

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

139

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

73.4

mJ

I SC

SC dati

T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T vj = 150 O C,V CC =1000V,

V CEM ≤ 1700V

1200

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C

1.80

2.25

V

I F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =125 O C

1.95

I F = 300A,V ĢEN =0V,T vj = 150 O C

1.90

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V,I F = 300A,

-di/dt=3247A/μs,V ĢEN =-15V LS =42 nH ,T vj =25 O C

68

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

202

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

34.5

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2579A/μs,V ĢEN =-15V LS =42 nH ,T vj =125 O C

114

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

211

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

61.2

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2395A/μs,V ĢEN =-15V LS =42 nH ,T vj = 150 O C

136

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

217

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

73.9

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.35

mΩ

r TJC

Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.082 0.127

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)

0.033 0.051 0.010

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Svars of modulis

300

G