GD300HFX120C6SA, Modulis IGBT, STARPOWER

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 300A.

Iespējas

Zema V CE (sat) Trenča IGB T tehnoloģija

10 μs īslaicīgs sakars spēja

V CE (= 40 ) ar pozitīvs Temperatūra koeficients

Maksimālā Junkcijas temperatūra 175O C

Zema induktivitātes kārta

Ātra & maiga atpakaļatgriešanās anti-paralēlais FWD

Izolēta medus pamatplāksne ar DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Inverteris motora vadībai

AC un DC servo Vadība pastiprinātājs ier

Nepārtraukta barošanas padeve

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =100 O C	496 300	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	600	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C	1685	Platums

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1200	V
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	300	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	600	A

modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
T jmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	O C
T žop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	O C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	O C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min	2500	V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C		1.70	2.15	V
		I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C		1.95
		I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C		2.00
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =12.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C			1.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība - - - -			2.5		Ω
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		31.1		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		0.87		MHz
Q G	nF	V ĢEN =-15 ...+15V		2.33		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 300A, r G =1,5Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 O C		313		ns
T r	Atkāpšanās laiks			57		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			464		ns
T F	Nolieku laiks			206		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			9.97		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			28.6		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 300A, r G =1,5Ω,V ĢEN =±15V, T j =125 O C		336		ns
T r	Atkāpšanās laiks			66		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			528		ns
T F	Nolieku laiks			299		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			21.1		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			36.6		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 300A, r G =1,5Ω,V ĢEN =±15V, T j = 150 O C		345		ns
T r	Atkāpšanās laiks			68		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			539		ns
T F	Nolieku laiks			309		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			25.6		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			37.8		mJ
I SC	SC dati	T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		1200		A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Vienības
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =25 O C		1.85	2.30	V
		I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =1 25O C		1.90
		I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =1 50O C		1.95
Q r	Atgūstamā nodeva	V CC = 600V,I F = 300A, -di\/dt=6950A\/μs,V ĢEN =-15V, T j =25 O C		10.8		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			272		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			9.53		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V CC = 600V,I F = 300A, -di\/dt=6090A\/μs,V ĢEN =-15V, T j =125 O C		24.2		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			276		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			18.4		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V CC = 600V,I F = 300A, -di\/dt=5440A\/μs,V ĢEN =-15V, T j = 150 O C		33.6		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			278		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			20.6		mJ

NTC raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
r 25	Nominālais pretestība			5.0		kΩ
∆R/R	Atkāpe of r 100	T C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
p 25	Jauda Zudums				20.0	mW
B 25/50	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība		20		nH
r CC+EE	Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu		1.10		mΩ
r TJC	Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar kārtu (par D) jods)			0.089 0.150	K/W
r tCH	KĻŪDA -uz -Siltumapdalītājs (perIGBT ) Izmantošana, lai noteiktu, vai ir iespējams izmantot elektrisko ierīci Izmērs: Modulis)		0.029 0.048 0.009		K/W
m	terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis	3.0 3.0		6.0 6.0	N.m.
G	Svars of modulis		350		G