GD300HFU120C2SD, IGBT modulis, STARPOWER

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 300A.

Iespējas

Zema VCE (sat) Trenažas IGBT tehnoloģija
6 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
VCE (sat) ar pozitīvs Temperatūra koeficients
Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Inverteris motora vadībai
AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =100 O C	320 300	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	600	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C	1063	Platums

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1200	V
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	300	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	600	A

modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
T jmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	O C
T žop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	O C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	O C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min	2500	V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C		1.40	1.85	V
		I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C		1.60
		I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =175 O C		1.60
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =8 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C	5.5	6.3	7.0	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C			1.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība - - - -			1.5		Ω
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V		51.5		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V		0.36		MHz
Q G	nF	V ĢEN =-15 ...+15V		4.50		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 300A, r G =1.5Ω, Ls=32nH, V ĢEN =±15V, T j =25 O C		405		ns
T r	Atkāpšanās laiks			83		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			586		ns
T F	Nolieku laiks			129		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			34.3		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			19.3		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 300A, r G =1.5Ω, Ls=32nH, V ĢEN =±15V, T j =125 O C		461		ns
T r	Atkāpšanās laiks			107		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			676		ns
T F	Nolieku laiks			214		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			48.0		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			26.6		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 300A, r G =1.5Ω, Ls=32nH, V ĢEN =±15V, T j =175 O C		518		ns
T r	Atkāpšanās laiks			124		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			738		ns
T F	Nolieku laiks			264		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			58.1		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			31.7		mJ
I SC	SC dati	T p ≤7μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		1150		A
I SC	SC dati	T p ≤ 6 μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =175 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		1110		A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Vienības
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =25 O C		1.60	2.00	V
		I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =1 25O C		1.60
		I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =1 75O C		1.50
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F = 300A, -di⁄dt=3135A⁄μs,V ĢEN =-15V, Ls=32nH,T j =25 O C		19.1		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			140		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			4.92		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F = 300A, -di⁄dt=2516A⁄μs,V ĢEN =-15V Ls=32nH,T j =125 O C		33.7		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			159		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			9.35		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F = 300A, -di⁄dt=2204A⁄μs,V ĢEN =-15V Ls=32nH,T j =175 O C		46.8		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			171		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			13.7		mJ

NTC raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
r 25	Nominālais pretestība			5.0		kΩ
∆R/R	Atkāpe of r 100	T C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
p 25	Jauda Zudums				20.0	mW
B 25/50	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība		21		nH
r CC+EE	Modulā "Slēpuma pretestība" nce, Kontakti līdz čipam		1.80		mΩ
r TJC	Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode)			0.141 0.243	K/W
r tCH	KĻŪDA -uz -Siltumapdalītājs (perIGBT )Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: Modulis)		0.085 0.147 0.009		K/W
m	Pievienošanas skrūvs:M6	3.0		6.0	N.m.
G	Svars of modulis		300		G