GD300HFQ120C2SD, IGBT Modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C = 95 O C

452

300

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

600

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175 O C

1724

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

300

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

600

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C

1.85

2.30

V

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 O C

2.25

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C

2.35

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 7,50 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

2.5

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

31.1

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.87

MHz

Q G

nF

V ĢEN =-15...+15V

2.33

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 300A, r G =1.6Ω, Ls=45nH, V ĢEN =±15V,T vj =25 O C

200

ns

T r

Atkāpšanās laiks

47

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

245

ns

T F

Nolieku laiks

65

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

20.8

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

9.15

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 300A, r G =1.6Ω, Ls=45nH, V ĢEN =±15V,T vj =125 O C

206

ns

T r

Atkāpšanās laiks

49

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

280

ns

T F

Nolieku laiks

94

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

29.9

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

12.5

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 300A, r G =1.6Ω, Ls=45nH, V ĢEN =±15V,T vj = 150 O C

209

ns

T r

Atkāpšanās laiks

51

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

295

ns

T F

Nolieku laiks

105

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

35.1

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

13.6

mJ

I SC

SC dati

T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =125 O C

1.90

I F = 300A,V ĢEN =0V,T vj = 150 O C

1.95

Q r

Atgūstas Uzlāde

V r = 600V,I F = 300A,

-di/dt=5570A/μs,V ĢEN =-15V, LS =45 nH ,T vj =25 O C

28.2

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

287

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

8.81

mJ

Q r

Atgūstas Uzlāde

V r = 600V,I F = 300A,

-di/dt=4930A/μs,V ĢEN =-15V, LS =45 nH ,T vj =125 O C

44.3

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

295

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

14.3

mJ

Q r

Atgūstas Uzlāde

V r = 600V,I F = 300A,

-di/dt=4580A/μs,V ĢEN =-15V, LS =45 nH ,T vj = 150 O C

50.2

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

300

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

16.0

mJ