GD300CUX120C2SA, IGBT modulis, STARPOWER

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 300A.

Iespējas

Zema VCE (sat) Trenažas IGBT tehnoloģija
10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
VCE (sat) ar pozitīvs Temperatūra koeficients
Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Slēgšanas režīma barošanas avots
Induktīvā sildīšana
elektriskās sārgmašīnas

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =100 O C	477 300	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	600	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175 O C	1578	Platums

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1200	V
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	300	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	600	A

modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
T vjmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	O C
T vjop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	O C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	O C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min	2500	V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C		1.70	2.15	V
		I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 O C		1.95
		I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C		2.00
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =12.0 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība - - - -			1.0		Ω
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		31.1		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		0.87		MHz
Q G	nF	V ĢEN =-15 ...+15V		2.33		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 300A, r G =1.3Ω, Ls=43nH, V ĢEN =±15V,T vj =25 O C		181		ns
T r	Atkāpšanās laiks			39		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			305		ns
T F	Nolieku laiks			199		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			22.7		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			21.0		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 300A, r G =1.3Ω, Ls=43nH, V ĢEN =±15V,T vj =125 O C		191		ns
T r	Atkāpšanās laiks			45		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			357		ns
T F	Nolieku laiks			313		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			39.8		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			30.7		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 300A, r G =1.3Ω, Ls=43nH, V ĢEN =±15V,T vj = 150 O C		193		ns
T r	Atkāpšanās laiks			47		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			368		ns
T F	Nolieku laiks			336		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			44.2		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			32.3		mJ
I SC	SC dati	T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		1200		A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Vienības
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C		1.85	2.30	V
		I F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =125 O C		1.90
		I F = 300A,V ĢEN =0V,T vj = 150 O C		1.95
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F = 300A, -di/dt=7400A/μs, Ls=43nH, V ĢEN =-15V,T vj =25 O C		59.7		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			397		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			24.9		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F = 300A, -di/dt=6300A/μs, Ls=43nH, V ĢEN =-15V,T vj =125 O C		91.8		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			383		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			36.5		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F = 300A, -di/dt=6100A/μs, Ls=43nH, V ĢEN =-15V,T vj = 150 O C		99.6		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			380		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			39.1		mJ

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība			20	nH
r CC+EE	Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu		0.35		mΩ
r TJC	Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar kārtu (par D) jods)			0.095 0.163	K/W
r tCH	Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)		0.022 0.037 0.010		K/W
m	terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
G	Svars of modulis		300		G