IGBT modulis 1200V

GD275MJS120L6S,IGBT Modulis,STARPOWER

IGBT modulis, 1200V 275A, Korpuss:L6

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD275MJS120L6S

Ievads
Kontūra
Ekvivalentā shēma

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 275A.

Iespējas

Zema VCE (sat) Trenažas IGBT tehnoloģija
VCE (sat) ar pozitīvs Temperatūra koeficients
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 °C
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Izolēts kopērs kā bāze izmantojot Si3 N4 AMB tehnoloģija

Tipiskas lietošanas metodes

Saulrasēja enerģija

3-starpniecības lietojums

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

T1-T4 IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I CN	Realizēts Kollektors C strāva	275	A
I C	Kolektora strāva @ T C =100 O C	110	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	450	A

D1/D4 Diods

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1200	V
I FN	Realizēta Priekšstrāva Curr ent	275	A
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	300	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	450	A

D2/D3 Diods

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1200	V
I FN	Realizēta Priekšstrāva Curr ent	275	A
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	225	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	450	A

D5\/D6 Diods

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1200	V
I FN	Realizēta Priekšstrāva Curr ent	275	A
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	300	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	450	A

modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
T jmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	O C
T žop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	O C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	O C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min	3200	V

T1-T4 IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =225A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C		2.00	2.45	V
		I C =225A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C		2.70
		I C =225A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C		2.90
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =9.00 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C			1.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība			1.7		Ω
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V		38.1		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V		0.66		MHz
Q G	nF	V ĢEN =-15...+15V		2.52		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =225A, r G =2Ω,V ĢEN =-8/+15V, Garums s =36 nH ,T j =25 O C		154		ns
T r	Atkāpšanās laiks			45		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			340		ns
T F	Nolieku laiks			76		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			13.4		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			8.08		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =225A, r G =2Ω,V ĢEN =-8/+15V, Garums s =36 nH ,T j =125 O C		160		ns
T r	Atkāpšanās laiks			49		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			388		ns
T F	Nolieku laiks			112		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			17.6		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			11.2		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =225A, r G =2Ω,V ĢEN =-8/+15V, Garums s =36 nH ,T j = 150 O C		163		ns
T r	Atkāpšanās laiks			51		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			397		ns
T F	Nolieku laiks			114		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			18.7		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			12.0		mJ

D1\/D4 Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =25 O C		1.60	2.05	V
		I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =1 25O C		1.60
		I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =1 50O C		1.60
Q r	Atgūstas Uzlāde	V r = 600V,I F =225A, -di\/dt=5350A\/μs,V ĢEN =-8V Garums s =36 nH ,T j =25 O C		20.1		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			250		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			6.84		mJ
Q r	Atgūstas Uzlāde	V r = 600V,I F =225A, -di\/dt=5080A\/μs,V ĢEN =-8V Garums s =36 nH ,T j =125 O C		32.5		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			277		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			11.5		mJ
Q r	Atgūstas Uzlāde	V r = 600V,I F =225A, -di/dt=4930A/μs,V ĢEN =-8V Garums s =36 nH ,T j = 150 O C		39.0		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			288		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			14.0		mJ

D2\/D3 Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =225A,V ĢEN =0V,T j =25 O C		1.60	2.05	V
		I F =225A,V ĢEN =0V,T j =1 25O C		1.60
		I F =225A,V ĢEN =0V,T j =1 50O C		1.60

D5\/D6 Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =25 O C		1.60	2.05	V
		I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =1 25O C		1.60
		I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =1 50O C		1.60
Q r	Atgūstas Uzlāde	V r = 600V,I F =225A, -di/dt=5050A/μs,V ĢEN =-8V Garums s =30 nH ,T j =25 O C		18.6		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			189		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			5.62		mJ
Q r	Atgūstas Uzlāde	V r = 600V,I F =225A, -di/dt=4720A/μs,V ĢEN =-8V Garums s =30 nH ,T j =125 O C		34.1		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			250		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			11.4		mJ
Q r	Atgūstas Uzlāde	V r = 600V,I F =225A, -di/dt=4720A/μs,V ĢEN =-8V Garums s =30 nH ,T j = 150 O C		38.9		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			265		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			13.2		mJ

NTC raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
r 25	Nominālais pretestība			5.0		kΩ
∆R/R	Atkāpe of r 100	T C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
p 25	Jaudas izkliede				20.0	mW
B 25/50	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība		15		nH
r TJC	Savinieks-līdz-korpusei (pēc T1 -T4 IGBT) Savinieks-līdz-korpusei (pēc D1/D4 D jods) Savinieks-līdz-korpusei (pēc D2/D3 D jods) Savinieks-līdz-korpusei (pēc D5/D6 D jods)			0.070 0.122 0.156 0.122	K/W
r tCH	Korpusa-līdz-siltumnovirtes (pēc T 1-T4 IGBT) Korpusa-līdz-siltumnovirtes (pēc D1/D4 Diodēns) Korpusa-līdz-siltumnovirtes (pēc D2/D3 Diodēns) Korpuss-lidz-siltumatvēdinim (pēc D5\/D6 Diodēns)		0.043 0.053 0.069 0.053		K/W
m	Monta griezes moments, Šķirbju:M5	3.0		5.0	N.m.
G	Svars of modulis		250		G