GD260HTA120P7H_T, IGBT modulis, STARPOWER

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 260A.

Iespējas

Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
Zemas slēgšanas zudumi
6 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Atdalīts medus pins ar DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Automobiļu lietojums
Hibrīda un elektriskā transportlīdzeklis
Inverteris motora vadībai

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I CN	Izmantotais kolektors Cu īr	260	A
I C	Kolektora strāva @ T F =125 O C	150	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	520	A
p D	Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =75 O C T vj =175 O C	526	Platums

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volta ĢEN	1200	V
I FN	Izmantotais kolektors Cu īr	260	A
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	150	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	520	A

modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
T vjmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	O C
T vjop	Darbības savienojuma temperatūra nepārtraukta Par 10s laikposmā 30 gadu vecumā, gadījums maksimāli 3000 reizes uz ilgāku laiku Es	-40 līdz +150 +150 līdz +175	O C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	O C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT raksturlielumi T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =150A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C		1.15	1.50	V
		I C =150A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 O C		1.20
		I C =150A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C		1.20
		I C =260A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C		1.35
		I C =260A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C		1.55
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =10.4 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C		6.4		V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība			2.50		Ω
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V		54.1		MHz
C ejs	Izvades jauda			1.04		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda			0.35		MHz
Q G	nF	V CE = 600V,I C =260A, V ĢEN =-8...+15V		3.54		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =150A, r G =3,3Ω, V ĢEN =-8V/+15V, Garums s =35 nH ,T vj =25 O C		345		ns
T r	Atkāpšanās laiks			61		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			933		ns
T F	Nolieku laiks			105		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			19.6		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			11.0		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =150A, r G =3,3Ω, V ĢEN =-8V/+15V, Garums s =35 nH ,T vj =125 O C		376		ns
T r	Atkāpšanās laiks			69		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			1052		ns
T F	Nolieku laiks			164		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			25.3		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			14.3		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =150A, r G =3,3Ω, V ĢEN =-8V/+15V, Garums s =35 nH ,T vj = 150 O C		382		ns
T r	Atkāpšanās laiks			73		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			1085		ns
T F	Nolieku laiks			185		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			27.6		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			15.7		mJ
I SC	SC dati	T p ≤ 6 μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		800		A

Dioda raksturlielumi T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =150A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C		1.45	1.80	V
		I F =150A,V ĢEN =0V,T vj =125 O C		1.40
		I F =150A,V ĢEN =0V,T vj = 150 O C		1.35
		I F =260A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C		1.65
		I F =260A,V ĢEN =0V,T vj = 150 O C		1.65
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F =150A, -di/dt=2690A/μs,V ĢEN =-8V Garums s =35 nH ,T vj =25 O C		14.2		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			123		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			3.79		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F =150A, -di/dt=2210A/μs,V ĢEN =-8V Garums s =35 nH ,T vj =125 O C		24.3		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			137		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			6.30		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F =150A, -di/dt=2130A/μs,V ĢEN =-8V Garums s =35 nH ,T vj = 150 O C		27.3		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			142		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			7.08		mJ

NTC raksturlielumi T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
r 25	Nominālais pretestība			5.0		kΩ
∆R/R	Atkāpe of r 100	T C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
p 25	Jauda Zudums				20.0	mW
B 25/50	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

modulis raksturlielumi T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
△ p	Spiediena kritums Dzesēšanas Cir apģērbs Δ V\/Δt=10.0dm3\/min;TF=2 5 O C;Dzesēšanas Šķidrums=50% ūdens/50% etilēnglikols		50		bar
p	Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs			2.0	bars
r TJF	Savienojums -uz -dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojums uz dzesēšanas šķidrumu (saskaņā ar D jods) △ V/ △ t=10,0 DM 3/min ,T F =75 O C		0.165 0.265	0.190 0.305	K/W
m	terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis	3.0 3.0		6.0 6.0	N.m.
G	Svars of modulis		685		G