GD225HFX120C6S, IGBT modulis, STARPOWER

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 225A.

Iespējas

Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 °C
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Inverteris motora vadībai
AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =195 O C	338 225	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	450	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C	1071	Platums

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1200	V
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	225	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	450	A

modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
T jmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	O C
T žop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	O C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	O C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min	2500	V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =225A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C		1.75	2.20	V
		I C =225A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C		2.00
		I C =225A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C		2.05
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =8.16 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C			1.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība - - - -			0.7		Ω
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		23.3		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		0.65		MHz
Q G	nF	V ĢEN =-15 ...+15V		1.75		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =225A, r G =1,6Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 O C		136		ns
T r	Atkāpšanās laiks			34		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			372		ns
T F	Nolieku laiks			69		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			5.78		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			16.7		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =225A, r G =1,6Ω,V ĢEN =±15V, T j =125 O C		145		ns
T r	Atkāpšanās laiks			34		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			461		ns
T F	Nolieku laiks			88		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			10.6		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			26.0		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =225A, r G =1,6Ω,V ĢEN =±15V, T j = 150 O C		153		ns
T r	Atkāpšanās laiks			34		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			490		ns
T F	Nolieku laiks			98		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			12.8		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			28.9		mJ
I SC	SC dati	T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		900		A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =225A,V ĢEN =0V,T j =25 O C		1.85	2.30	V
		I F =225A,V ĢEN =0V,T j =1 25O C		1.90
		I F =225A,V ĢEN =0V,T j =1 50O C		1.95
Q r	Atgūstamā nodeva	V CC = 600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V ĢEN =-15V, T j =25 O C		25.9		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			345		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			11.8		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V CC = 600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V ĢEN =-15V, T j =125 O C		49.5		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			368		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			21.6		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V CC = 600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V ĢEN =-15V, T j = 150 O C		56.4		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			391		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			24.5		mJ

NTC raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
r 25	Nominālais pretestība			5.0		kΩ
∆R/R	Atkāpe of r 100	T C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
p 25	Jauda Zudums				20.0	mW
B 25/50	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība		20		nH
r CC+EE	Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu		1.10		mΩ
r TJC	Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar kārtu (par D) jods)			0.140 0.203	K/W
r tCH	KĻŪDA -uz -Siltumapdalītājs (perIGBT ) Izmantošana, lai noteiktu, vai ir iespējams izmantot elektrisko ierīci Izmērs: Modulis)		0.030 0.044 0.009		K/W
m	terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis	3.0 3.0		6.0 6.0	N.m.
G	Svars of modulis		350		G