GD200HFY120C8SN ,IGBT Modulis,STARPOWER

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis , izgatavots uzņēmumā STARPOWER. 1200V 200A.

Iespējas

Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

I invertors motoru piedziņai
AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 o C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 o C @ T C = 100o C	400 200	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	400	A
P D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T =175 o C	1578	Platums

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums	1200	V
I F	Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde	200	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	400	A

Modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
T jmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	o C
T žop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	o C
T STG	Uzglabāšanas temperatūra Diapazons	-40 līdz +125	o C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C		1.70	2.15	V
		I C =200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 o C		1.95
		I C =200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C		2.00
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =5.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 o C	5.2	6.0	6.8	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 o C			1.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Iekšējā vārtu pretestība - - - -			3.8		ω
C 125 °C	Ies	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		20.7		mHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		0.58		mHz
Q G	NF	V ĢEN =- 15...+15V		1.55		μC
t d (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j =25 o C		150		ns
t r	Atkāpšanās laiks			32		ns
t d (izslēgt )	Izslēgt Atlikušais laiks			330		ns
t f	Nolieku laiks			93		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi			11.2		mJ
E izslēgt	Izslēgtas Zaudējumi			11.3		mJ
t d (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j = 125o C		161		ns
t r	Atkāpšanās laiks			37		ns
t d (izslēgt )	Izslēgt Atlikušais laiks			412		ns
t f	Nolieku laiks			165		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi			19.8		mJ
E izslēgt	Izslēgtas Zaudējumi			17.0		mJ
t d (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j = 150o C		161		ns
t r	Atkāpšanās laiks			43		ns
t d (izslēgt )	Izslēgt Atlikušais laiks			433		ns
t f	Nolieku laiks			185		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi			21.9		mJ
E izslēgt	Izslēgtas Zaudējumi			19.1		mJ
I SC	SC dati	t P ≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		800		A

Dioda Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Vienības
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =200A,V ĢEN =0V,T j =25 o C		1.65	2.10	V
		I F =200A,V ĢEN =0V,T j = 125o C		1.65
		I F =200A,V ĢEN =0V,T j = 150o C		1.65
Q r	Atgūstamā nodeva	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 o C		17.6		μC
I RM	Augstais augstums Atgūšanas strāvas			228		A
E rec	Atgriezeniska atgūšana Enerģija			7.7		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =125 o C		31.8		μC
I RM	Augstais augstums Atgūšanas strāvas			238		A
E rec	Atgriezeniska atgūšana Enerģija			13.8		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150 o C		36.6		μC
I RM	Augstais augstums Atgūšanas strāvas			247		A
E rec	Atgriezeniska atgūšana Enerģija			15.2		mJ

Modulis Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība			22	nH
R CC+EE	Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu		0.65		mΩ
R tJC	Savienojums ar lietu (par IGB) T) Savienojums ar kārtu (par D) jods)			0.095 0.161	K/W
R tCH	Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes) Izmērs: Modulis)		0.146 0.248 0.046		K/W
M	Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis	2.5 2.5		3.5 3.5	N.m.
G	Svars of Modulis		200		g