GD200HFX120C2S, IGBT modulis, STARPOWER

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,izgatavots uzņēmumā STARPOWER. 1200V 200A.

Iespējas

Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 °C
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Inverteris motora vadībai
AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 o C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 o C @ T C =90 o C	297 200	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	400	A
P D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 o C	937	Platums

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums	1200	V
I F	Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde	200	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	400	A

Modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
T jmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	o C
T žop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	o C
T STG	Uzglabāšanas temperatūra Diapazons	-40 līdz +125	o C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C		1.75	2.20	V
		I C =200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 o C		2.00
		I C =200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C		2.05
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =5.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 o C	5.2	6.0	6.8	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 o C			5.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Iekšējā vārtu pretestība - - - -			1.0		ω
C 125 °C	Ies	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		18.6		mHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		0.52		mHz
Q G	NF	V ĢEN =- 15...+15V		1.40		μC
t d (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j =25 o C		120		ns
t r	Atkāpšanās laiks			26		ns
t d (izslēgt )	Izslēgt Atlikušais laiks			313		ns
t f	Nolieku laiks			88		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi			8.96		mJ
E izslēgt	Izslēgtas Zaudējumi			10.7		mJ
t d (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j = 125o C		129		ns
t r	Atkāpšanās laiks			30		ns
t d (izslēgt )	Izslēgt Atlikušais laiks			391		ns
t f	Nolieku laiks			157		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi			15.8		mJ
E izslēgt	Izslēgtas Zaudējumi			16.1		mJ
t d (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j = 150o C		129		ns
t r	Atkāpšanās laiks			34		ns
t d (izslēgt )	Izslēgt Atlikušais laiks			411		ns
t f	Nolieku laiks			175		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi			17.5		mJ
E izslēgt	Izslēgtas Zaudējumi			18.1		mJ
I SC	SC dati	t P ≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		720		A

Dioda Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Vienības
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =200A,V ĢEN =0V,T j =25 o C		1.75	2.15	V
		I F =200A,V ĢEN =0V,T j = 125o C		1.65
		I F =200A,V ĢEN =0V,T j = 150o C		1.65
Q r	Atgūstamā nodeva	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 o C		18.5		μC
I RM	Augstais augstums Atgūšanas strāvas			239		A
E rec	Atgriezeniska atgūšana Enerģija			8.08		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =125 o C		33.1		μC
I RM	Augstais augstums Atgūšanas strāvas			250		A
E rec	Atgriezeniska atgūšana Enerģija			14.5		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150 o C		38.4		μC
I RM	Augstais augstums Atgūšanas strāvas			259		A
E rec	Atgriezeniska atgūšana Enerģija			15.9		mJ

Modulis Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība		15		nH
R CC+EE	Modulā "Slēpuma pretestība" nce, termināls uz čipu		0.25		mΩ
R tJC	Savienojums ar lietu (par IGB) T) Savienojums ar korpusu (par Di) ode)			0.160 0.206	K/W
R tCH	Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes) Izmērs: Modulis)		0.036 0.046 0.010		K/W
M	Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
G	Svars of Modulis		300		g