Visas kategorijas

IGBT modulis 1200V

IGBT modulis 1200V

Sākumlapa /  Produkti /  IGBT modulis /  IGBT modulis 1200V

GD200HFX120C2S, IGBT modulis, STARPOWER

1200V 200A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD200HFX120C2S
  • Ievads
  • Kontūra
  • Ekvivalentā shēma
Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,izgatavots uzņēmumā STARPOWER. 1200V 200A.

Iespējas

  • Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
  • 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
  • VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
  • Maksimālā savienojuma temperatūra 175 °C
  • Zema induktivitātes kārta
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

  • Inverteris motora vadībai
  • AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
  • Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

297

200

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

400

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C

937

Platums

Dioda

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

200

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

400

A

modulis

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.75

2.20

V

I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

2.00

I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.05

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =5.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

1.0

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

18.6

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.52

MHz

Q G

nF

V ĢEN =- 15...+15V

1.40

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, r G = 1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j =25 O C

120

ns

T r

Atkāpšanās laiks

26

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

313

ns

T F

Nolieku laiks

88

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

8.96

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

10.7

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, r G = 1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j = 125O C

129

ns

T r

Atkāpšanās laiks

30

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

391

ns

T F

Nolieku laiks

157

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

15.8

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

16.1

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, r G = 1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j = 150O C

129

ns

T r

Atkāpšanās laiks

34

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

411

ns

T F

Nolieku laiks

175

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

17.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

18.1

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

720

A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =200A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.75

2.15

V

I F =200A,V ĢEN =0V,T j = 125O C

1.65

I F =200A,V ĢEN =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 O C

18.5

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

239

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

8.08

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =125 O C

33.1

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

250

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

14.5

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150 O C

38.4

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

259

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

15.9

mJ

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

15

nH

r CC+EE

Modulā "Slēpuma pretestība" Nce, termināls uz čipu

0.25

r TJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.160

0.206

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)

Izmērs: Modulis)

0.036

0.046

0.010

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars of modulis

300

G

Kontūra

Ekvivalentā shēma

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

SAISTĪTS PRODUKTS

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Iegūstiet piedāvājumu

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000