IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C =100 O C

340

200

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

400

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C

1190

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

200

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

400

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

1.95

I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.00

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =8.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

3.75

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

20.7

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.58

MHz

Q G

nF

V ĢEN =- 15...+15V

1.55

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, r G =1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j =25 O C

150

ns

T r

Atkāpšanās laiks

32

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

330

ns

T F

Nolieku laiks

93

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

9.7

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

11.3

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, r G =1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j =125 O C

161

ns

T r

Atkāpšanās laiks

37

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

412

ns

T F

Nolieku laiks

165

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

20.2

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

17.0

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, r G =1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j = 150 O C

161

ns

T r

Atkāpšanās laiks

43

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

433

ns

T F

Nolieku laiks

185

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

22.4

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

19.1

mJ

I SC

SC dati

T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =200A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

2.40

2.90

V

I F =200A,V ĢEN =0V,T j =1 25O C

1.95

I F =200A,V ĢEN =0V,T j =1 50O C

1.80

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 O C

20.3

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

160

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

8.0

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V ĢEN =- 15V T j =125 O C

38.4

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

201

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

14.2

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150 O C

44.2

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

212

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

15.6

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.35

mΩ

r TJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.126

0.211

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode)

Izmērs: (atkārtojiet)

0.032

0.053

0.010

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars of modulis

300

G